Издателям
Вышедшие номера
Особенности пластической релаксации метастабильного слоя GexSi1-x, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge
Болховитянов Ю.Б.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова РАН, Новосибирск, Россия
Email: bolkhov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 21 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Гетероструктуры Ge/GexSi1-x/Si(001), выращенные методом молекулярной эпитаксии, были исследованы методом высокоразрешающей электронной микроскопии с атомным разрешением. Пленка Ge толщиной 0.5 - 1 mum, выращенная при температуре 500oC, полностью релаксирована. В то же время промежуточный слой Ge0.5Si0.5 остается в напряженном метастабильном состоянии, несмотря на то, что его толщина в 2-4 раза превышает критическую для введения 60o-ных дислокаций несоответствия. Предполагается, что граница раздела Ge/GeSi является барьером для проникновения дислокаций из релаксированного слоя Ge в слой GeSi. Этот барьер преодолевается в процессе 30 min отжига гетероструктур при температуре 700oC, после чего в обеих гетерограницах Ge/GeSi и GeSi/Si(001) наблюдаются дислокационные сетки различной степени упорядоченности, состоящие в основном из краевых дислокаций несоответствия. Исследование выполнено при финансовой поддержке Минобрнауки России (ГК 16.518.11.7091).
  • H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999)
  • L. Colace, G. Masini, G. Assanto, Hsin-Chiao Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett. 76, 1231 (2000)
  • T.H. Loh, H.S. Nguyen, C.H. Tung, A.D. Trigg, G.Q. Lo, N. Balasubramanian, D.L. Kwong, S. Tripathy. Appl. Phys. Lett. 90, 092 108 (2007)
  • Z. Zhou, C. Li, H. Lai, S. Chen, J. Yu. J. Cryst. Growth 310, 2508 (2008)
  • Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 107, 123 521 (2010)
  • M.J. Hytch, M. Gandais. Phil. Mag. A 72, 619 (1995)
  • M. Takeda, J. Suzuki. J. Opt. Soc. Am. A 13, 1495 (1996)
  • А.К. Гутаковский, А.Л. Чувилин, Se Ahn Song. Изв. РАН, Сер. физ. 71, 1464 (2007)
  • Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Acta Materialia 61, 617 (2013)
  • S.M. Hu. J. Appl. Phys. 69, 7901 (1991)
  • E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep. 7, 87 (1991)
  • J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of Dislocations (McGraw-Hill, N. Y., 1968). Ch. 15
  • D.C. Houghton. Appl. Phys. Lett. 57, 1434 (1990)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  • C.G. Tuppen, C.J. Gibbings. J. Appl. Phys. 68, 1526 (1990)
  • X.W. Liu, A.A. Hopgood, B.F. Usher, H. Wang, N.St.J. Braithwaite. J. Appl. Phys. 94, 7496 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.