Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности пластической релаксации метастабильного слоя Ge_xSi_1-x, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge

Болховитянов Ю.Б.¹, Гутаковский А.К.¹, Дерябин А.С.¹, Соколов Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: bolkhov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 21 июня 2013 г.

Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Гетероструктуры Ge/Ge_xSi_1-x/Si(001), выращенные методом молекулярной эпитаксии, были исследованы методом высокоразрешающей электронной микроскопии с атомным разрешением. Пленка Ge толщиной 0.5 - 1 mum, выращенная при температуре 500^oC, полностью релаксирована. В то же время промежуточный слой Ge_0.5Si_0.5 остается в напряженном метастабильном состоянии, несмотря на то, что его толщина в 2-4 раза превышает критическую для введения 60^o-ных дислокаций несоответствия. Предполагается, что граница раздела Ge/GeSi является барьером для проникновения дислокаций из релаксированного слоя Ge в слой GeSi. Этот барьер преодолевается в процессе 30 min отжига гетероструктур при температуре 700^oC, после чего в обеих гетерограницах Ge/GeSi и GeSi/Si(001) наблюдаются дислокационные сетки различной степени упорядоченности, состоящие в основном из краевых дислокаций несоответствия. Исследование выполнено при финансовой поддержке Минобрнауки России (ГК 16.518.11.7091).

H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999)
L. Colace, G. Masini, G. Assanto, Hsin-Chiao Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett. 76, 1231 (2000)
T.H. Loh, H.S. Nguyen, C.H. Tung, A.D. Trigg, G.Q. Lo, N. Balasubramanian, D.L. Kwong, S. Tripathy. Appl. Phys. Lett. 90, 092 108 (2007)
Z. Zhou, C. Li, H. Lai, S. Chen, J. Yu. J. Cryst. Growth 310, 2508 (2008)
Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 107, 123 521 (2010)
M.J. Hytch, M. Gandais. Phil. Mag. A 72, 619 (1995)
M. Takeda, J. Suzuki. J. Opt. Soc. Am. A 13, 1495 (1996)
А.К. Гутаковский, А.Л. Чувилин, Se Ahn Song. Изв. РАН, Сер. физ. 71, 1464 (2007)
Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Acta Materialia 61, 617 (2013)
S.M. Hu. J. Appl. Phys. 69, 7901 (1991)
E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep. 7, 87 (1991)
J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of Dislocations (McGraw-Hill, N. Y., 1968). Ch. 15
D.C. Houghton. Appl. Phys. Lett. 57, 1434 (1990)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
C.G. Tuppen, C.J. Gibbings. J. Appl. Phys. 68, 1526 (1990)
X.W. Liu, A.A. Hopgood, B.F. Usher, H. Wang, N.St.J. Braithwaite. J. Appl. Phys. 94, 7496 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель