Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синтез и свойства нанокристаллов диоксида ванадия в силикатных пористых стеклах
Виноградова О.П.1, Обыкновенная И.Е.1, Сидоров А.И.1, Климов В.А.2, Шадрин Е.Б.2, Ханин С.Д.3, Хрущева Т.А.3
1Научно-производственная корпорация "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: aisidorov@newmail.ru
Поступила в редакцию: 1 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
Проведен синтез наночастиц диоксида ванадия в силикатных нанопористых стеклах с размером пор 7 и 17 nm. Изучены температурные зависимости оптических и электрических свойств полученного композита в температурной области фазового перехода полупроводник-металл, испытываемого диоксидом ванадия. Измерен нелинейно-оптический отклик наночастиц в видимом и ближнем ИК-диапазонах для пикосекундных лазерных импульсов. PACS: 78.67.-n, 71.30.+h
- W. Bruckner, H. Opperman, W. Reichelt, J.I. Terukow, F.A. Tschudnowski, E. Wolf. Vanadiumoxide. Akademie-Verlag, Berlin (1983). 252 p
- А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход полупроводник--металл и его применение. Наука, Л. (1979). 183 с
- M.F. Becker, A.B. Buckman, R.M. Walser, T. Lepine, P. Georges, A. Brun. J. Appl. Phys. 79, 2404 (1996)
- A. Cavallieri, C. Toth, C.W. Siders, J.A. Squier, F. Raksi, P. Forget, J.S. Kieffer. Phys. Rev. Lett. 87, 237 401 (2001)
- M. Rini, A. Cavalleri, R.W. Schoenlen, R. Lopez, L.C. Feldman, R.F. Haglund, jr., L.A. Boatner, T.E. Haynes. Opt. Lett. 30, 558 (2005)
- О.П. Коновалова, А.И. Сидоров, И.И. Шаганов. Опт. журн. 66, 13 (1999)
- А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя. Квантовая электрон. 6, 1459 (1979)
- М.И. Григорьев, А.С. Олейник, В.Ф. Смоляков. Электрон. пром-сть 5--6, 108 (1982)
- О.Б. Данилов, О.П. Михеева, А.И. Сидоров, В.А. Климов, С.А. Тульский, Е.Б. Шадрин, И.Л. Ячнев. ЖТФ 73, 79 (2003)
- H.-T. Kim, B.-G. Chae, D.-H. Youn, G. Kim, K.Y. Kuang, S.L. Maeng, Y.S. Lim. New J. Phys. 6, 52 (2004)
- R. Lopez, T.E. Haynes, L.A. Boatner, L.C. Feldman, R.F. Haglund. Opt. Lett. 27, 1327 (2002)
- А.В. Акимов, А.В. Вирченко, В.Г. Голубев, А.А. Каплянский, Д.А. Курдюков, А.Б. Певцов, А.В. Щербаков. ФТТ 45, 231 (2003)
- А.А. Остросаблина, А.И. Сидоров. Опт. журн. 72, 36 (2005)
- А.А. Остросаблина, О.П. Виноградова, А.И. Сидоров. Опт. журн. 73, 17 (2006)
- R. Lopez, T. Haynes, L. Boatner, L.C. Feldman, R.F. Haglund. Appl. Phys. Lett. 79. 3161 (2001)
- О.В. Андреева, И.Е. Обыкновенная, Е.Р. Гаврилюк, А.А. Парамонов, А.П. Кушнаренко. Опт. журн. 72, 37 (2005)
- П. Кофстад. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. Мир, М. (1975). 396 с
- Т.Г. Ланская, И.А. Меркулов, Ф.А. Чудновский. ФТТ 20, 1201 (1978)
- Р.А. Алиев, В.А. Климов. ФТТ 46, 515 (2004)
- Р.А. Алиев, В.Н. Андреев, В.М. Капралова, В.А. Климов, А.И. Соболев, Е.Б. Шадрин. ФТТ 48, 874 (2006)
- J.Y. Suh, R. Lopez, L.G. Feldman, R.F. Haglund, jr. J. Appl. Phys. 96, 1209 (2004)
- И.А. Хахаев, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин. ФТТ 36, 1643 (1994)
- A.E. Neeves, M.H. Birnboim. J. Opt. Soc. Am. B 6, 787 (1989)
- M. Tazawa, P. Jin, S. Tanemura. Appl. Opt. 37, 1858 (1998)
- К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. Мир, М. (1986). 664 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
