Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперная характеристика контакта металл--полупроводник с барьером Мотта

Шашкин В.И.¹, Мурель А.В.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: sha@ipm.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 5 июня 2007 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получено аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) контакта металл-полупроводник с барьером Мотта при учете пространственого заряда носителей тока n⁺-i-перехода. Основным допущением при решении уравнения Пуассона является пренебрежение объемным легированием i-слоя. Для характерных случаев термоэмиссионного и диффузионного механизмов переноса носителей тока рассчитаны зависимости тока от напряжения. В отличие от классического результата Мотта учет пространственного заряда носителей тока ограничивает рост тока при прямом смещении и уменьшает нелинейность ВАХ. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 07-02-00163 и 07-02-12150). PACS: 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Ei

N.F. Mott. Proc. Cambr. Phil. Soc. 34, 568 (1938)
N.F. Mott. Proc. Roy. Soc. A 171, 27 (1939)
E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-semiconductor contacts. Claredon Press, Oxford (1988). 252 p
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. 456 с
M. McColl, M.F. Millea. Proc. IEEE 61, 499 (1973)
V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov. Proc. Int. Semicon. Dev. Res. Symp. (ISDRS 1997). Charlottseville, USA (1997). P. 147
В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин. Изв. вузов. Радиофизика 48, 544 (2005)
Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника. Наука, М. (1966). 564 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель