Вышедшие номера
Структурные фазовые переходы в наноразмерных сегнетоэлектрических пленках титаната бария--стронция
Головко Ю.И.1, Мухортов В.М.1, Юзюк Ю.И.2, Janolin P.E.3, Dkhil B.3
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3LSPMS, UMR, Ecole Centrale Paris, Grande Voie des Vignes, Chatenay-Malabry Cedex, France
Email: urgol@rambler.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

С использованием метода дифракции рентгеновского излучения исследованы температурные зависимости параметров решетки в нормальном и тангенциальном к подложке направлениях эпитаксиальных пленок титаната бария-стронция разной толщины (от 6 до 960 nm), выращенных по слоевому механизму высокочастотным катодным распылением при повышенном давлении кислорода. Выявлена критическая толщина пленок (~50 nm), ниже которой в пленках существуют сжимающие, а выше - растягивающие напряжения. Во всем интервале толщин при изменении температуры от 780 до 100 K в пленках наблюдаются два размытых структурных фазовых перехода второго рода. При растягивающих напряжениях переходы могут соответствовать переходам из тетрагональной параэлектрической фазы в aa-фазу и далее в r-фазу, в то время как при сжимающих напряжениях переходы происходят из тетрагональной параэлектрической фазы в сегнетоэлектрическую c-фазу, а при дальнейшем понижении температуры - в r-фазу. Работа проводилась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-17191 и 06-02-16271). PACS: 77.80.-e, 64.70.Nd, 77.55.+f