Издателям
Вышедшие номера
Структурные фазовые переходы в наноразмерных сегнетоэлектрических пленках титаната бария--стронция
Головко Ю.И.1, Мухортов В.М.1, Юзюк Ю.И.2, Janolin P.E.3, Dkhil B.3
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3LSPMS, UMR, Ecole Centrale Paris, Grande Voie des Vignes, Chatenay-Malabry Cedex, France
Email: urgol@rambler.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

С использованием метода дифракции рентгеновского излучения исследованы температурные зависимости параметров решетки в нормальном и тангенциальном к подложке направлениях эпитаксиальных пленок титаната бария--стронция разной толщины (от 6 до 960 nm), выращенных по слоевому механизму высокочастотным катодным распылением при повышенном давлении кислорода. Выявлена критическая толщина пленок (~50 nm), ниже которой в пленках существуют сжимающие, а выше --- растягивающие напряжения. Во всем интервале толщин при изменении температуры от 780 до 100 K в пленках наблюдаются два размытых структурных фазовых перехода второго рода. При растягивающих напряжениях переходы могут соответствовать переходам из тетрагональной параэлектрической фазы в aa-фазу и далее в r-фазу, в то время как при сжимающих напряжениях переходы происходят из тетрагональной параэлектрической фазы в сегнетоэлектрическую c-фазу, а при дальнейшем понижении температуры --- в r-фазу. Работа проводилась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-17191 и 06-02-16271). PACS: 77.80.-e, 64.70.Nd, 77.55.+f
  • B. Acikel, T.R. Taylor, P.J. Hausen, J.S. Speck, R.A. York. IEEE Microwave Wireless Components Lett. 12, 237 (2002)
  • P.K. Petrov, Mcn N. Algord, S. Gevorgyan. Meas. Sci. Technol. 15, 1 (2004)
  • B.H. Hoerman, B.M. Nichols, B.W. Wessels. Phys. Rev. B 65, 224 110 (2002)
  • N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998)
  • V.G. Koukhar, N.A. Pertsev, R. Wasser. Phys. Rev. B 64, 214 103 (2001)
  • Z.-G. Ban, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 91, 9288 (2002)
  • L. Lahoche, V. Lorman, S.B. Rochal, J.M. Roelandt. J. Appl. Phys. 91, 4973 (2002)
  • Yu.I. Yuzyuk, J.L. Sauvajol, P. Simon, V.L. Lorman, V.A. Alyoshin, I.N. Zakharchenko, E.V. Sviridov. J. Appl. Phys. 93, 9930 (2003)
  • D.A. Tenne, A. Soukiassian, X.X. Xi, H. Choosuwan, R. Guo, A.S. Bhalla. J. Appl. Phys. 96, 6597 (2004)
  • M. El Marssi, E. Le Marrec, I.A. Lukyanchuk, M.G. Karkut. J. Appl. Phys. 94, 3307 (2003)
  • H. Li, A.L. Roytburd, S.P. Alpay, T.D. Tran, L. Salamanca-Riba, R. Ramech. Appl. Phys. Lett. 78, 2354 (2001)
  • W.Y. Park, C.S. Hwang. Appl. Phys. Lett. 85, 5313 (2004)
  • A. Lookman, J. McAneney, R.M. Bowman, J.M. Gregg, J. Kut, S. Rois, A. Ruediger, M. Dawber, J.F. Scott. Appl. Phys. Lett. 85, 5010 (2004)
  • A. Lookman, R.M. Bowman, J.M. Gregg, J. Kut, S. Rois, A. Ruediger, M. Dawber, J.F. Scott. J. Appl. Phys. 96, 555 (2004)
  • H. Terauchi, Y. Watanabe, H. Kasatani, K. Kamigaki, Y. Tano, T. Terashima, Y. Bando. J. Phys. Soc. Jap. 61, 2194 (1992)
  • F. He, B.O. Wells. Appl. Phys. Lett. 88, 152 908 (2006)
  • J.A. Bellotti, W. Chang, S.B. Qadri. Appl. Phys. Lett. 88, 012 902 (2006)
  • V.M. Mukhortov, Y.I. Golovko, G.N. Tolmachev, A.N. Klevtzov. Ferroelectrics 247, 75 (2000)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, Г.Н. Толмачев, А.И. Мащенко. ЖТФ 69, 87 (1999)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, В.В. Колесников, С.В. Бирюков. Письма в ЖТФ 31, 75 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.