Подавление собственной проводимости в p-Bi0.5Sb1.5Te3 пластической деформацией
Гольцман Б.М.1, Кутасов В.А.1, Лукьянова Л.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: B.Goltsman@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
Установлен эффект подавления собственной проводимости в узкозонном полупроводнике p-Bi0.5Sb1.5Te3 пластической деформацией. Эффект проявляется в ослаблении снижения коэффициента термоэдс при повышенных температурах, вызванного собственной проводимостью. Возможные причины эффекта - усиление разориентации кристаллических зерен, образование линейных дефектов структуры (дислокации, микротрещины), приводящие к снижению подвижности преимущественно неосновных носителей заряда. PACS: 62.20.Fe, 72.20.Pa
- Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Ti3. Наука, М. (1972). 320 с
- В.В. Тихонов, В.Я. Хуснутдинова, В.Ш. Саркисян, И.А. Смирнов, Б.М. Гольцман. ФТТ 11, 3678 (1969)
- В.В. Тихонов, В.Ш. Саркисян, В.Я. Хуснутдинова, И.А. Смирнов, Б.М. Гольцман. ФТТ 12, 1576 (1970)
- Р. Смит. Полупроводники. ИЛ, М. (1962). 466 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
