Вышедшие номера
Влияние внешних воздействий на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe2
Сеидов Мир-Гасан Ю.1,2, Сулейманов Р.А.1,2, Бабаев С.С.2, Мамедов Т.Г.2, Шарифов Г.М.2
1Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: smirhasan@gyte.edu.tr
Поступила в редакцию: 24 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Приводятся и обсуждаются особенности влияния внешних воздействий (постоянное электрическое поле, световое воздействие) на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe2, регистрируемый по данным измерения диэлектрической постоянной. Впервые продемонстрировано, что влияние внешних воздействий на аномалию, связываемую с проявлением эффекта термической памяти в TlGaSe2, сводится к некоему универсальному эмпирическому правилу: при длительной временной выдержке образца при постоянной температуре T0 в области несоизмеримой фазы в присутствии постоянного электрического поля сильно увеличивается амплитуда прогиба в низкотемпературной части аномалии температурной зависимости относительного измерения диэлектрической постоянной Deltavarepsilon/varepsilon (при этом стирается прогиб в высокотемпературной части аномалии Deltavarepsilon/varepsilon(T) ) по сравнению с аналогичным участком зависимости, полученной при изотермическом отжиге образца при той же температуре, но без электрического поля. При этом кристалл "вспоминает" свою предысторию при температуре, смещенной относительно T0 на несколько градусов в сторону более высоких температур. Световое же воздействие увеличивает амплитуду прогиба в высокотемпературной части аномалии Deltavarepsilon/varepsilon(T), смещая температуру, при которой кристалл "вспоминает" свою предысторию, в сторону более низких температур относительно T0. PACS: 77.80.-e, 64.70.Rh, 61.44.Fw, 78.20.Ci
  1. J.P. Jamet, P. Lederer. J. Phys. Lett. (Paris) 44, L-257 (1983)
  2. J.P. Jamet, P. Lederer. Ferroelectric Lett. 1, 139 (1984)
  3. P. Lederer, G. Montambaux, J.P. Jamet. J. Phys. Lett. (Paris) 48, L-627 (1984)
  4. P. Lederer, G. Montambaux, J.P. Jamet. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 121, 99 (1985)
  5. P. Lederer, J.P. Jamet, G. Montambaux. Ferroelectrics 66, 25 (1986)
  6. J.P. Jamet. Phase Trans. 11, 335 (1988)
  7. C.L. Folcia, M.J. Tello, J.M. Perez-Mato, J.A. Zubillaga. Solid State Commun. 60, 581 (1986)
  8. H.G. Unruh. J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 3245 (1983)
  9. J.C. Toledano, G. Errandonea, J. Schneck, A. Litzler, F. Bonnouvrier, M.L. Esteoule. Jap. J. Appl. Phys. 24, Suppl. 24-2, 290 (1985)
  10. C. Manolikas, J. Schneck, J.C. Toledano, J.M. Kiat, G. Calvarin. Phys. Rev. B 35, 8884 (1987)
  11. C.L. Folcia, F.J. Zuniga, G. Madariaga, J.M. Perez-Mato, M.J. Tello. Phys. Rev. B 40, 11 037 (1989)
  12. C.L. Folcia, M.J. Tello, J.M. Perez-Mato. Phys. Rev. B 36, 7181 (1987)
  13. C.L. Folcia, J.M. Perez-Mato, M.J. Tello. Solid State Commun. 74, 717 (1990)
  14. C.L. Folcis, J.M. Perez-Mato, M.J. Tello. Phys. Rev. B 38, 5055 (1988)
  15. В.В. Гладкий, В.А. Кириков. Кристаллография 34, 393 (1989)
  16. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, И.С. Иванова. ФТТ 37, 1779 (1995)
  17. Б.Ш. Багаутдинов, И.М. Шмытько. Письма в ЖЭТФ 59, 171 (1994)
  18. И.М. Шмытько, Б.Ш. Багаутдинов. Кристаллография 43, 680 (1998)
  19. M.M. Maior, Th. Rasing, S.W.H. Eijt, P.H.M. van Loosdrech, H. van Kempen, S.B. Molnar, Yu.M. Visochanskii, S.F. Motrij, V.Yu. Slivka. J. Phys.: Cond. Mater 6, 11 211 (1994)
  20. С.И. Перечинский, В.М. Ризак, И.М. Ризак, Ю.М. Высочанский, С.Ф. Мотря, Е.В. Филоненко. ФТТ 34, 2641 (1992)
  21. S.K. Gupta, V.V. Gladkii, K. Lal. J. Phys.: Cond. Matter 4, 855 (1992)
  22. S. Mori, N. Yamomoto, T. Koyama, Y. Uesu. Phys. Rev. B 51, 73 (1995)
  23. О.Г. Влох, А.В. Китык, О.М. Мокрый, В.Г. Гриб. ФТТ 33, 312 (1991)
  24. О.Г. Влох, И.И. Половинко, С.А. Свелеба. ФТТ 31, 277 (1989)
  25. S. Ozdemir, R.A. Suleymanov, K.R. Allakhverdiev, F.A. Mikailov, E. Civan. Solid State Commun. 96, 821 (1995)
  26. F.A. Mikailov, E. Basaran, E. Senturk, L. Tumbek, T.G. Mammadov, V.P. Aliev. Phase Trans. 76, 1957 (2003)
  27. K.R. Allakhverdiev, F.A. Mikailov, A.M. Kulibekov, N. Turetken. Phase Trans. 67, 457 (1998)
  28. F.A. Mikailov, E. Senturk, L. Tumbek, T.G. Mammadov, T.S. Mammadov. Phase Trans. 78, 413 (2005)
  29. E. Senturk, L. Tumbek, F.A. Mikailov. Cryst. Res. Technol. 40, 901 (2005)
  30. F.A. Mikailov, E. Basaran, E. Senturk, L. Tumbek, T.G. Mammadov. J. Non-Cryst. Sol. 351, 2809 (2005)
  31. E. Senturk. Phys. Lett. A 349, 340 (2006)
  32. V.D. Muller, H. Hahn. Z. Anorg. Allg. Chem. 438, 258 (1978)
  33. D.F.Mc. Moorrow, R.A. Cowley, P.D. Hatton, J. Banys. J. Phys.: Cond. Matter 2, 3699 (1990)
  34. H. Hahn, B. Wellmann. J. Naturwissenshaften 54, 42 (1967)
  35. T.J. Isaacs, J.D. Feichtner. J. Solid State Chem. 14, 260 (1975)
  36. T.J. Isaacs. J. Appl. Cryst. 6, 413 (1973)
  37. S.S. Babaev, E. Basaran, T.G. Mammadov, F.A. Mikailov, F.M. Salehli, M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. J. Phys.: Cond. Matter 17, 1985 (2005)
  38. V.P. Aliyev, S.S. Babayev, T.G. Mammadov, M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. Solid State Commun. 128, 25 (2003)
  39. M.-H.Yu. Seyidov, E. Coskun, Y. Sahin, R. Khamoev, R.A. Suleymanov. Semicond. Sci. Technol. 21, 171 (2006)
  40. Yu.M. Vysochanskii, A.A. Molnar, M.M. Khoma, S.F. Motrja. Cond. Matter Phys. 2. 421 (1999)
  41. К.Р. Аллахвердиев, Н.Д. Ахмед-заде, Т.Г. Мамедов, Т.С. Мамедов, М.Ю. Сеидов. ФНТ 26, 76 (2000)
  42. R.M. Sardarly, O.A. Samedov, I.Sh. Sadikov, E.I. Mordukhaeva, T.A. Gabibov. Solid State Commun. 77, 453 (1991)
  43. Ю. Банис, А. Брилингас, Й. Григас, Г. Гусейнов. ФТТ 29, 3324 (1987)
  44. А.К. Абиев, Н.А. Бахышов, А.Э. Бахышов, М.С. Гаджиев. Изв. вузов. Физика 12, 84 (1989)
  45. M.E. Lines, A.M. Glass. Principles and applications of ferroelectrics and related materials. Claredon Press, Oxford (1977)
  46. H.Z. Cummins. Phys. Rep. 185, 211 (1990).
  47. P. Bak. Rep. Prog. Phys. 45, 587 (1982)
  48. T. Janssen, A. Janner. Adv. Phys. 36, 519 (1987)
  49. Б.А. Струков. Изв. АН СССР. Сер. физ. 51, 1717 (1987)
  50. Г.Л. Беленький, В.А. Гончаров, В.Д. Негрий, Ю.А. Осипьян, Р.А. Сулейманов. ФТТ 26, 3144 (1984)
  51. М.-Г. Сеидов, Р.А. Сулейманов, Р. Хамоев. ФТТ 48, 1270 (2006)
  52. M.-H.Yu. Seyidov, Y. Sahin, D. Erbahar, R.A. Suleymanov. Phys. Stat. Sol. (a) 203, 3781 (2006)
  53. M.-H.Yu. Seyidov, Y. Sahin, M.H. Aslan, R.A. Suleymanov. Semicond. Sci. Technol. 21, 1633 (2006)
  54. В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 408 с
  55. В.М. Фридкин. Фотосегнетоэлектрики. Наука, М. (1979). 284 с
  56. А.П. Леванюк, В.В. Гладкий. Письма в ЖЭТФ 31, 651 (1980).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.