Влияние отжига на электрические свойства легированных азотом монокристаллов кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки
Воронкова Г.И.1, Батунина А.В.1, Воронков В.В.1, Головина В.Н.1, Гуляева А.С.1, Тюрина Н.Б.1, Мильвидский М.Г.1
1Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
Email: abatunina@girmet.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Излучены электрические свойства отожженных при 680oC легированных азотом монокристаллов кремния n- и p-типа, полученных методом бестигельной зонной плавки. Показано, что отжиг приводит к появлению в кристаллах азотсодержащих центров, образующих глубокие донорные и акцепторные уровни в запрещенной зоне. Этот процесс сопровождается увеличением удельного сопротивления, особенно существенным в исходно высокоомных монокристаллах. При этом в слаболегированных бором монокристаллах n- и p-типа наблюдается конверсия типа проводимости. В конвертированном материале n-типа подвижность электронов аномально низка, что свидетельствует о его высокой электрической пространственной неоднородности. Определено энергетическое положение вводимого при отжиге глубокого акцепторного уровня вблизи Ec-0.35 eV. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые явления. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 06-02-17054). PACS: 72.80.Cw, 72.20.Fr, 81.40.Rs
- T. Abe, H. Takeno. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 263, 3 (1992)
- W. von Ammon, P. Dreier, W. Hensel, U. Lambert, L. Koster. Mater. Sci. Eng. B 36, 33 (1996)
- M. Iida, W. Kusaki, M. Tamatsuka, E. Iino, M. Kimura, S. Muraoka. In: Defects in silicon III. The Electrochemical Society, Pennington, N.J. (1999). PV 99-1. P. 499
- K. Nakai, Y. Inoue, H. Yokota, A. Ikari, J. Takahashi, A. Tashikawa, K. Kitahara, Y. Ohta, W. Ohashi. J. Appl. Phys. 89, 4301 (2001)
- K. Nakamura, T. Saishoji, S. Togawa, J. Tomioka. Proc. of the Kazusa Academia Park Forum of the science and technology of silicon materials. The Japan Technical Information Service (2001). P. 109
- T. Abe, H. Harada, N. Ozawa, K. Adomi. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59, 537 (1986)
- Y. Tokomara, H. Okushi, T. Masau, T. Abe. Jpn. J. Appl. Phys. 21, L 443 (1982)
- K.L. Brower. Phys. Rev. B 26, 6040 (1982)
- P.J. Mole, J.A. Alamo. In: Properties of crystalline silicon / Ed. R. Hull. ENSPEC, London (1999). P. 443
- H. Nakagawa, S. Zhukotinski. Can. J. Phys. 56, 364 (1978)
- J.S. Blackmore. Semiconductor statistics. Pergamon, N.Y. (1962)
- В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Б.В. Зубов, В.П. Калинушкин, Б.Б. Крынецкий, Т.М. Мурина, А.М. Прохоров. ФТТ 23, 117 (1981)
- V.V. Voronkov, G.L. Voronkova, V.N. Golovina, B.V. Zubov, V.P. Kalinushkin, T.M. Murina, A.M. Prokhorov. J. Cryst. Growth 52, 939 (1981)
- V.V. Voronkov, M. Porrini, P. Collareta, M.G. Protto, R. Scala, R. Falster, G.I. Voronkova, A.V. Batunina, V.N. Golovina, L.V. Arapkina, A.S. Guliaeva, M.G. Milvidski. J. Appl. Phys. 89, 4289 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
