Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экспериментальное определение толщины "мертвого слоя" для экситонов в широкой квантовой яме GaAs/AlGaAs
Убыйвовк Е.В.1, Логинов Д.К.1, Герловин И.Я.1, Долгих Ю.К.1, Ефимов Ю.П.1, Елисеев С.А.1, Петров В.В.1, Вывенко О.Ф.1, Ситникова А.А.2, Кириленко Д.А.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Выполнено прямое измерение толщины "мертвого слоя" для материала GaAs в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Проведено сопоставление полученных в эксперименте значений ширины мертвого слоя с ранее найденными значениями для того же материала, граничащего с внешней средой, а также с результатами теоретических предсказаний различных авторов. Работа поддержана РФФИ и Минобрнауки. PACS: 71.36.+c, 78.40.Fy, 78.67.De
- J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev. 132, 563 (1963)
- F. Evangelisti, A. Frova, F. Patella. Phys. Rev. B 10, 4253 (1974)
- F. Evangelisti, J.U. Fishbach, A. Frova. Phys. Rev. B 9, 1517 (1974).
- М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук. ФТТ 5, 11, 3250 (1963)
- P.G. Harper, J.A. Hilder. Phys. Status Solidi 26, 69 (1968)
- J. Gollardo, D. Mattis. Phys. Status Solidi B 93, 975 (1984)
- S. Satpathy. Phys. Rev. B 28, 4585 (1983)
- Н.Н. Ахмедиев, М.И. Сажин, А.В. Селькин. ЖЭТФ 96, 720 (1989)
- H. Azucena-Coyotecatl, N.R. Grigorieva, B.A. Kazennov, J. Madrigal-Melchor, B.V. Novikov, F.L. Perez-Rodrguez, A.V. Sel'kin. Thin Solid Films 373, 227 (2000)
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во СПбГУ, СПб (2003). С. 79
- В.А. Киселев, И.В. Макаренко, Б.С. Разбирин, И.Н. Уральцев. ФТТ 19, 5, 1348 (1977)
- A. Tredicucci, Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Phys. Rev. B 47, 10 352 (1993)
- С.А. Марков, Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин. ФТП 38, 230 (2004)
- Д.К. Логинов, Е.В. Убыйвовк, Ю.П. Ефимов, В.В. Петров, С.А. Елисеев, Ю.К. Долгих, И.В. Игнатьев, В.П. Кочерешко, А.В. Селькин. ФТТ 48, 1979 (2006)
- E. Ubyivovk, Yu.K. Dolgikh, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, V.V. Petrov, V.V. Ovsyankin. J. Lumin. 102-- 103, 751 (2003)
- С.И. Пекар. Кристаллооптика и добавочные световые волны. Наук. думка, Киев (1982). С. 179
- С.И. Пекар. ЖЭТФ 34, 1176 (1958)
- С.И. Пекар. ЖЭТФ 33, 1022 (1957)
- В.М. Агранович, В.Л. Гинзбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. Наука, М. (1965). С. 58
- R.G. Ulbrich, C. Wesbuch. Phys. Rev. Lett. 38, 865 (1977)
- S. Adachi. GaAs and related materials: bulk semiconducting and superlattice properties. World Scientific, Singapore (1994)
- R.M. Hannak, W.W. Ruhle. Phys. Rev. B 50, 15 445 (1994)
- R. Romestain, C. Weisbuch. Phys. Rev. Lett. 45, 2067 (1980)
- M.S. Skolnick, A.K. Jain, R. Stradling, J. Leotin, J.C. Ousset, S. Ashkenazy. J. Phys. C 9, 2809 (1976)
- A. D'Andrea, R. Del Sople. Phys. Rev. B 32, 2337 (1985)
- A. D'Andrea, R. Del Sople. Phys. Rev. B 25, 3714 (1982)
- E.A. Muljarov, R. Zimmermann. Phys. Rev. B 66, 235 319 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
