Вышедшие номера
Анизотропия упругих напряжений и особенности дефектной структуры a-ориентированных эпитаксиальных пленок GaN, выращенных на r-грани сапфира
Кютт Р.Н.1, Щеглов М.П.1, Ратников В.В.1, Николаев А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: r.kyutt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Проведено рентгенодифракционное исследование структурного состояния эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом MOVPE на r-грани сапфира. На двух- и трехкристальном дифрактометре измерялись межплоскостные расстояния в двух направлениях в плоскости интерфейса (11-20) и перпендикулярно ей, дифракционные пики theta- и theta-2theta-мод сканирования в геометрии Брэгга и Лауэ, а также строились карты распределения интенсивности для асимметричных брэгговских рефлексов в двух азимутальных положениях образца. Полученные данные демонстрируют анизотропию упругой деформации и уширения дифракционной картины параллельно плоскости интерфейса. Слои сжаты в направлении [1-100] и не деформированы в направлении [0001]. Уширение брэгговских рефлексов значительно больше в направлении [1-100] по сравнению с [0001]. На основе построения Вильямсона-Холла для брэгговских и лауэвских отражений показано, что эти уширения не связаны с различной степенью мозаичности, а обусловлены локальными дилатациями и разориентациями вокруг дефектов. На основе анализа полученных данных делаются выводы о дислокационной структуре образцов. Работа выполнена при поддержке РФФИ N 06-02-17307. PACS: 61.05.cp, 61.72.Lk, 61.72.uj, 68.55.ag
  1. M.D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 84, 1281 (2004)
  2. B.A. Haskell, T.J. Baker, M.B. McLaurin, F. Wu, P.T. Fini, S.P. DenBaars, J.S. Speck, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett. 86, 111 917 (2005)
  3. R. Armitage, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto. J. Appl. Phys. 101, 033 534 (2007)
  4. Qian Sun, Soon-Yong Kwon, Z. Ren, T. Onuma, S.F. Chichibu, S. Wang. Appl. Phys. Lett. 92, 051 112 (2008)
  5. A. Kobayashi, S. Kavano, K. Ueno, J. Ohta, H. Fujioka, H. Amanai, S. Nagao, H. Horie. Appl. Phys. Lett. 91, 191 005 (2007)
  6. K. Ueno, A. Kobayashi, J. Ohta, H. Fujioka, H. Amanai, S. Nagao, H. Horie. Appl. Phys. Lett. 91, 081 915 (2007)
  7. H.M. Ng. Appl. Phys. Lett. 80, 4369 (2002)
  8. M.D. Craven, S.H. Lim, F. Wu, J.S. Speck, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002)
  9. M.D. Craven, P. Waltereit, F. Wu, J.S. Speck, S.P. DenBaars. Jpn. J. Appl. Phys. 42, L 235 (2003)
  10. Hai Lu, W.J. Schaff, L.F. Eastman, J. Wu, W. Walukiebicz, V. Cimalla, O. Ambacher. Appl. Phys. Lett. 83, 1136 (2003)
  11. H. Wang, C. Chen, Z. Gong, J. Zhang, M. Gaevski, M. Su, J. Yang, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett. 84, 499 (2004)
  12. X. Ni, O. Ozgur, N. Biyikli, J. Xie, A.A. Baski, H. Morkoc, Z. Liliental-Weber. Appl. Phys. Lett. 89, 262 105 (2006)
  13. T. Pashkova, R. Kroeger, S. Figge, D. Hommel, V. Darakchieva, B. Monemar, E. Preble, A. Hanser, N.M. Williams, M. Tulor. Appl. Phys. Lett. 89, 051 914 (2006)
  14. R. Kroeger, T. Pashkova, S. Figge, D. Hommel, A. Rosenauer, B. Monemar. Appl. Phys. Lett. 90, 081 918 (2007)
  15. C. Roder, S. Einfeldt, S. Figge, T. Pashkova, D. Hommel, P.P. Pashkov, B. Monemar, U. Behn. J. Appl. Phys. 100, 103 511 (2006)
  16. T. Lei, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys. 74, 4430 (1993)
  17. V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, T.V. Shubina, T. Pashkova, B. Monemar. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, A 30 (2001)
  18. A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 100, 023 522 (2006)
  19. D.N. Zakharov, Z. Liliental-Weber, B. Wagner, Z.J. Reitmeier, E.A. Preble, R.F. Davis. Phys. Rev. B 71, 235 334 (2005)
  20. P. Vennegues, Z. Bougrioua. Appl. Phys. Lett. 89, 111 915 (2006)
  21. V.M. Kaganer, R. Kohler, M. Schmidbauer, R. Opitz, B. Jenichen. Phys. Rev. B 55, 1793 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.