Вышедшие номера
Образование анионных вакансий при распаде термически возбужденных триплетных экситонов в кристалле KI
Яковлев В.Ю.
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Методом времяразрешенной оптической спектроскопии изучена динамика создания и эволюции анионных вакансий (alpha-центров окраски) в кристалле KI при облучении электронным пучком длительностью 10-8 с (E=0.25 МэВ). В диапазоне температур 110-140 K обнаружено синхронное с релаксацией триплетных экситонов (STE) инерционное нарастание числа a-центров после прекращения облучения. На основе данных по сравнительному для a-центров и STE изучению температурных зависимостей выхода и скорости релаксационных процессов сделан вывод о реализации в кристалле KI механизма термоактивированного преобразования STE из наинизшего релаксированного 3Sigma+u-состояния в пары пространственно разделенных a- и I-центров. Выход a-центров в расчете на один STE определен равным 0.3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.