Анализ обнаруженной ранее аномальной шоттковской низкотемпературной теплоемкости в PbS, PbSe и PbTe дает параметры туннельных состояний вакансий. Полученная концентрация туннельных дефектов существенно зависит от степени вырождения возбужденных состояний туннельных дефектов. Путем прямого решения секулярного уравнения в рамках простой модели деформации окружения вакансии показано, что возбужденное состояние вырождено трехкратно. В качестве причины падения отношения концентрации шоттковских дефектов к концентрации вакансий обсуждается слабое взаимодействие вакансий, расположенных на расстоянии порядка 10 постоянных решетки друг от друга.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.