На основании исследований температурной зависимости (1.8-77 K) линий излучения кристалла TlGaS₂, обусловленных излучательными переходами между электронными уровнями дефекта решетки, эффективно возбуждаемых через экситонный механизм, в диапазоне энергий 2.035-2.038 эВ обнаружено их взаимодействие с оптическими и акустическими фононами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.