Исследованы температурные зависимости внутреннего трения и диэлектрических свойств чистых и легированных Cr и Al, а также отожженных в вакууме монокристаллов Bi₁₂SiO₂₀. Обнаружен ряд аномалий акустических потерь и соответствующих им особенностей в диэлектрических характеристиках. Полученные результаты обсуждаются в рамках теории Хатсона-Уайта и теории релаксации дефектов в поле упругих напряжений. Предлагаются модели дефектных центров, ответственных за наблюдаемые и ранее известные аномалии затухания звука в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.