В развитии электронной теории нарушения стехиометрии в полупроводниковых ионных кристаллах, связанного со статистическим взаимодействием свободных носителей заряда с дефектами-вакансиями в полупроводнике, получены общие выражения для расчета стационарного состояния ионного кристалла при неравновесном испарении компонентов с поверхности и связанном с ним изменением потоков вакансий в глубине полупроводника. Найдено стационарное неравновесное распределение вакансий по глубине кристалла и показано, что оно существенно зависит как от концентрации свободных электронов, так и от вероятности образования и аннигиляции вакансий в результате диффузии. Благодаря этому у поверхности кристалла существует переходной слой с переменной концентрацией вакансий и электронов, толщина которого сильно зависит от соотношения характеристических длин в электронной атомной подсистемах. Показано, что толщиной этого слоя можно управлять внешним воздействием на электронную подсистему (электрическим полем, светом и т. д.) и изменением температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.