Рассчитана плотность состояний экситона, связанного на изоэлектронной ловушке, с учетом пьезоэлектрического эффекта, вызванного внутренними микродеформациями в твердом растворе полупроводника. Показано, что возникающее дополнительное электрическое поле приводит к образованию системы энергетических уровней связанного экситона в случае твердого раствора Ga_1-xIn_xP и к модуляции ширины спектральной линии в GaAs_xP_1-x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.