Вышедшие номера
Определение энергий образования точечных дефектов в ионных кристаллах в приближении линейной связи
Колмогоров Ю.Н., Вараксин А.Н.
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

В приближении линейной связи (ПЛС) вычислены энергии образования вакансий, ионов замещения и внедрения в некоторых щелочно-галоидных кристаллах (использована оболочечная модель Дика-Оверхаузера). Показано, что энергии образования дефектов, вычисленные в ПЛС, отличаются от точных значений, полученных методом молекулярной статики, на (2-5) %, если использовать мотт-литтлтоновские смещения ионов кристалла дефектом; при использовании точных значений смещений деформированной дефектом решетки ПЛС выполняется с точностью порядка 1 % (в обоих случаях максимальные смещения ximax не должны превышать 10 % от постоянной решетки кристалла a0). При ximax > 10 % · a0 с увеличением ximax точность выполнения приближения линейной связи быстро падает.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.