Издателям
Вышедшие номера
Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe
Астратов В.Н., Ильинский А.В., Репин С.М., Фурман А.С.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Теоретически и экспериментально исследована динамика экранирования внешнего электрического поля в полуизолирующих кристаллах ZnSe. Обнаружено, что в зависимости от температуры кристалла и условий его предварительного освещения процесс экранирования протекает в двух новых качественно различающихся режимах. В одном из них происходит расширение единственного обедненного слоя, во втором --- формирование многочисленных слоев объемного заряда чередующихся знаков. Эти результаты объяснены в рамках простой модели, учитывающей наличие двух типов глубоких центров с различными временами перезарядки. Сравнение теории с экспериментом позволило определить ряд параметров, определяющих перенос заряда в ZnSe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.