Издателям
Вышедшие номера
Вынужденное комбинационное рассеяние на дырках одноосно сжатого полупроводника
Васько Ф.Т.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Проведен расчет порога вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР), обусловленного флуктуациями квадрупольного момента дырок при их переходах между расщепленными одноосным сжатием зонами Gamma8. Учтена квазиэнергетическая перенормировка спектра дырок в интенсивном лазерном поле и рассмотрено ее влияние на спектральные и поляризационные зависимости сечения рассеяния. Приведены оценки порога ВКР для Ge и InAs при накачке CO2-лазером.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.