Дан анализ температурной зависимости коэффициента Холла и подвижности дырок в специально нелегированных объемных кристаллах и эпитаксиальных слоях узкощелевых полупроводников p-HgCdTe. Экспериментальные данные удается описать в рамках модели коррелированных акцепторно-донорных пар, предложенной ранее авторами для HgTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.