Вышедшие номера
Фотодиэлектрический эффект в TlInS2, активированном примесью La
Seyidov М.-Н.Yu.1,2, Suleymanov R.A.1,2, Бабаев С.С.2, Мамедов Т.Г.2, Наджафов А.И.2, Шарифов Г.М.2
1Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: smirhasan@gyte.edu.tr
Поступила в редакцию: 17 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Впервые получены данные о влиянии света на низкочастотные диэлектрические свойства слоистого кристалла TlInS2, легированного примесью La. Установлено, что подсветка кристалла в процессе измерений существенно изменяет вид температурной зависимости диэлектрической постоянной (varepsilon) TlInS2 с примесью La в области существования несоизмеримой фазы. В работе впервые исследованы температурные зависимости varepsilon TlInS2 с примесью La при предварительном охлаждении кристалла в присутствии различного по величине напряженности постоянного электрического поля. Сделано заключение о том, что наблюдаемый на опыте фотодиэлектрический эффект обусловлен процессами локализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне кристалла с образованием локальных поляризованных состояний. PACS: 61.44.Fw, 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.80.Sk, 77.22.-d, 77.22.Ch, 77.22.Ej, 77.80.Bh