Проведены измерения теплоемкости C_p монокристаллического и порошкообразного образцов TlGaSe₂, в интервале 80-180 K. Обнаружены аномальные изменения особенностей на кривой C_p(T), связанных с фазовыми переходами, в порошке по сравнению с монокристаллом. Эти изменения связываются с влиянием электрических полей поверхностных зарядов, проникающих в глубь образца на расстояние радиуса дебаевского экранирования и смещающих температуры фазовых переходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.