Вышедшие номера
Максимальная низкотемпературная подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах с толстым спейсерным слоем
Пикус Ф.Г., Сасонидзе Г.Г., Эфрос А.Л.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Представлен расчет подвижности двумерного электронного газа (ДЭГ), ограниченной рассеянием электронов на удаленных примесях, с учетом корреляции в пространственном распределении заряженных примесей, вызванной их кулоновским взаимодействием. Корреляционная функция заряда характеризуется температурой "замораживания" T0. Предполагается, что низкотемпературное распределение заряженных примесей является "мгновенной фотографией" их равновесного распределения при этой температуре. При достаточно низких T0 система, состоящая из заряженных и нейтральных примесей, близка к своему основному состоянию. Показано, что корреляция в распределении заряженных примесей наиболее существенна при низких T0 и большой толщине спейсерного слоя. Проведены численные расчеты для модуляционно-легированной гетероструктуры AlxGa1-xAs/GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.