Издателям
Вышедшие номера
Формирование цепочек атомов Sr на сингулярной и ступенчатой поверхностях Si(111)
Жачук Р.А.1,2, Тийс С.А.1, Ольшанецкий Б.З.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2CICECO, University of Aveiro, Campus Santiago, Aveiro, Portugal
Email: olshan@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы поверхностные структуры 3x2, 5x2, 7x2, 9x2, формирующиеся на грани Si(111) при адсорбции субмонослойного количества Sr. Полученные экспериментальные данные согласуются с моделями реконструкций поверхности, предложенными ранее для структур, индуцированных адсорбцией атомов двухвалентных металлов. Важным элементом этих структур являются цепочки атомов Sr в направлениях <110>. На грани Si(111) формируются три типа доменов поверхностных структур, соответствующих вращательной симметрии C3 этой поверхности. Понижение симметрии подложки до C1 путем использования ступенчатой поверхности Si(7 7 10) позволяет сформировать цепочки атомов Sr, ориентированные относительно подложки одинаковым образом. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 10-02-00199 и 08-02-01101) и FCT Португании (N SFRH/BPD/38291/2007).
  • F. Bechstedt. Principles of surface physics. Springer, Berlin (2003). 342 p
  • A. Houselt, T. Gnielka, J.M.J.A. Brugh, N. Oncel, D. Kockmann, R. Heid, K.-P. Bohnen, B. Poelsema, H.J.W. Zandvliet. Surf. Sci. 602, 1731 (2008)
  • J.R. Ahn, H.W. Yeom, H.S. Yoon, I.-W. Lyo. Phys. Rev. Lett. 91, 196 403 (2003)
  • C. Tegenkamp, Z. Kallasy, H. Pfnuer, H.-L. Guenter, V. Zialasek, M. Henzler. Phys. Rev. Lett. 95, 176 804 (2005)
  • S.C. Erwin, H.H. Weitering. Phys. Rev. Lett. 81, 2296 (1998)
  • G. Lee, S. Hong, H. Kim, D. Shin, J.-Y. Koo, H.-I. Lee, D.W. Moon. Phys. Rev. Lett. 87, 056 104 (2001)
  • C. Battaglia, H. Cercellier, C. Monney, L. Despont, M.G. Garnier, P. Aebi. J. Phys. Conf. Ser. 100, 052 078 (2008)
  • C. Battaglia, P. Aebi, S.C. Erwin. Phys. Rev. B 78, 075 409 (2008)
  • F. Shimokoshi, I. Matsuda, S. Hasegawa. e-J. Surf. Sci. Nanotech. 2, 178 (2004)
  • S. Teys, B. Olshanetsky, R. Zhachuk, S. Pereira, G. Norga. Appl. Phys. Lett. 93, 161 912 (2008)
  • A. Kirakosian, R. Bennewitz, J.N. Crain, Th. Fauster, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 79, 1608 (2001)
  • R. Zhachuk, S. Teys, B. Olshanetsky, S. Pereira. Appl. Phys. Lett. 95, 061 901 (2009)
  • S. Hong, G. Lee, H. Kim. Surf. Sci. 600, 3606 (2006)
  • J. Tersoff, D.R. Hamman. Phys. Rev. Lett. 50, 1998 (1983)
  • J. Tersoff, D.R. Hamman. Phys. Rev. B 31, 805 (1985)
  • R.G. Pearson. Inorg. Chem. 27, 734 (1988)
  • R. Zhachuk, B. Olshanetsky, J. Coutinho, S. Pereira. Phys. Rev. B 81, 165 424 (2010)
  • S.A. Teys, K.N. Romanyuk, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 600, 4878 (2006)
  • R. Zhachuk, S. Pereira. Phys. Rev. B 79, 077 401 (2009)
  • M. Henzler, R. Zhachuk. Thin Solid Films 428, 129 (2003)
  • R.A. Zhachuk, S.A. Teys, A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 565, 37 (2004)
  • Р.А. Жачук, С.А. Тийс, Б.З. Ольшанецкий. Письма в ЖЭТФ 79, 467 (2004)
  • Р.А. Жачук, С.А. Тийс, Б.З. Ольшанецкий. ФТП 41, 580 (2007)
  • Р.А. Жачук, К.Н. Романюк, С.А. Тийс, Б.З. Ольшанецкий. ФТТ 51, 189 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.