Вышедшие номера
Кинетика образования вакансионных микропор и междоузельных дислокационных петель в бездислокационных монокристаллах кремния
Таланин В.И.1, Таланин И.Е.1
1Классический приватный университет, Запорожье, Украина
Email: v.i.talanin@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Проведен расчет образования вакансионных микропор и A-микродефектов в соответствии с моделью динамики точечных дефектов при условии отсутствия рекомбинации собственных точечных дефектов при высоких температурах. Предполагается, что такое решение возможно в случае начала процесса преципитации примеси вблизи фронта кристаллизации. Показано, что процесс образования вакансионных микропор носит гомогенный характер, а образование междоузельных дислокационных петель определяется в основном деформационным механизмом.
  1. В.И. Таланин. Моделирование и свойства дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. ГУ "ЗИГМУ", Запорожье (2007). 275 с
  2. V.I. Talanin, I.E. Talanin. In: New research on semiconductors / Ed. T.B. Elliot. Nova Sci. Publ., Inc., N.Y. (2006). P. 31
  3. V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth 59, 625 (1982)
  4. M.S. Kulkarni. J. Cryst. Growth 303, 438 (2007)
  5. T. Sinno, R.A. Brown. J. Electrochem. Soc. 146, 2300 (1999)
  6. E. Dornberger, W. von Ammon, J. Virbulis, B. Hanna, T. Sinno. J. Cryst. Growth 230, 291 (2001)
  7. K. Nakamura, T. Saishoji, J. Tomioka. J. Cryst. Growth 237- 239, 1678 (2002)
  8. M.S. Kulkarni, V.V. Voronkov, R. Falster. J. Electrochem. Soc. 151, G 663 (2004)
  9. M.S. Kulkarni. Ind. Eng. Chem. Res. 44, 6246 (2005)
  10. V.V. Voronkov, R. Falster. J. Appl. Phys. 91, 5802 (2002)
  11. T. Sinno, R.A. Brown, W. von Ammon, E. Dornberger. J. Electrochem. Soc. 145, 302 (1998)
  12. K. Nakamura, T. Saishoji, T. Kubota, T. Iida, Y. Shimanuki, T. Kotooka, J. Tomioka. J. Cryst. Growth 180, 61 (1997)
  13. Z. Wang, R.A. Brown. J. Cryst. Growth 231, 442 (2001)
  14. R.A. Brown, Z. Wang, T. Mori. J. Cryst. Growth 225, 97 (2001)
  15. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 49, 450 (2007)
  16. V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.A. Voronin. Can. J. Phys. 85, 1459 (2007)
  17. M. Itsumi. J. Cryst. Growth 237- 239, 1773 (2002)
  18. Y. Yanase, H. Nishihata, T. Ochiai, H. Tsuya. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1, 1 (1998)
  19. T. Ueki, M. Itsumi, T. Takeda, K. Yoshida, A. Takaoka, S. Nakajima. Jpn. J. Appl. Phys. 37, L 771 (1998)
  20. В.И. Таланин. Изв. вузов. Материалы электрон. техники 4, 27 (2007)
  21. T. Ueki, M. Itsumi, T. Takeda. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5695 (1999)
  22. V.I. Talanin, I.E. Talanin, S.A. Koryagin, M.Yu. Semikina. Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 9, 77 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.