Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесценция эпитаксиальных пленок твердых растворов AlN--GaN, выращенных на слоях нитрида галлия

Зубрилов А.С.¹, Цветков Д.В.¹, Николаев В.И.¹, Никитина И.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 марта 1996 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалась катодолюминесценция вблизи края поглощения из эпитаксиальных слоев твердых растворов Al_xGa_(1-x)N (0<x<0.3), выращенных на микронном слое нитрида галлия на подложке 6H-SiC. Установлена зависимость энергии краевой полосы от состава твердого раствора. Рассмотрен вопрос о ее спектральном уширении.

S. Strite, H.J. Morkoc. Vac. Sci. Technol. B10, \it 4, 1237 (1992)
H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M.J. Burns. Appl. Phys. 76, \it 3, 1363 (1994)
I. Akasaki, H. Amano. J. Electrochem. Soc. 141, \it 8, 2266 (1994)
S. Nakamura, T. Mukai, M.J. Senoh. J. Appl. Phys. 76, \it 12, 8189 (1994)
Y. Koide, H. Itoh, M.R.H. Khan, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki. J. Appl. Phys. 61, \it 9, 4540 (1987)
S. Nakamura, Y. Harada, M. Senoh. Appl. Phys. Lett. 58, \it 18, 2021 (1991)
N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui. J. Appl. Phys. Lett. 59, \it 18, 2251 (1991)
V. Dmitriev, K. Irvine, G. Bulman, J. Edmond, A. Zubrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, D. Tsvetkov, A. Babanin, A. Sitnikova. Cryst. Growth. To be published
S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jpn. J. Appl. Phys. 32, \it 10, 4413 (1993)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев (1975). 704 с
I. Akasaki, K. Hiramatsu, H. Amano. Memoris of the Faculty of Engineering, Nagoya University 43, \it 2, 147 (1991)
S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda. J. Appl. Phys. 53, \it10, 6844 (1982)
D.K. Wickenden, C.B. Bargeron, W.A. Bryden, J. Miragliotta, T. Kistenmacher. Appl. Phys. Lett. 65, \it 16, 2024 (1994)
M.R.H. Khan, Y. Koide, H. Itoh, N. Sawaki, I. Akasaki. Sol. Stat. Commun. 60, \it 6, 509 (1986)
L. Pavesi, M.J. Guzzi. J. Appl. Phys. 75, \it 10, 4779 (1994)
E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol. 1, 4, 249 (1957)
E.F. Schubert, E.O. Gobel, Y. Horikoshi, K. Ploog, H. Queisser. J. Phys. Rev. B30, \it 2, 813 (1984)
C. Charreux, G. Guillot, A. Nouailhat. J. Appl. Phys. 60, \it 2, 768 (1986)
J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki. Technical Digest of Int. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM'95). Kyoto. Japan (1995). P. 287

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель