Особенности электропереноса в Sm 3S4
Васильев Л.Н.1, Каминский В.В.1, Романова М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.
- Batlogg B., Kaldis E., Schlegel A., van Schulthess G., Wachter P. Solid State Commun. 19, 673 (1976)
- Смирнов И.А., Парфеньева Л.С., Хуснутдинова В.Я., Сергеева В.М. ФТТ 14, \it 7, 2412 (1972)
- Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов / Под ред. В.П. Жузе. Л. (1973). 304 с
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М. (1974). 472 с
- Tamaki A., Goto T., Kunii S., Suzuki T., Fujimura T., Kasuya T. J. Phys. C: Solid State Phys. 18, \it 31, 5849 (1985)
- Голубков А.В., Сергеева В.М. ЖВХО 26, 6, 45 (1981)
- Васильев Л.Н., Каминский В.В. ФТТ 36, 4, 1172 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
