Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства кристаллов Bi 12SiO 20
Панченко Т.В.1, Янчук З.З.2
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2Киевский государственный университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Исследована стационарная фотопроводимость кристаллов Bi12SiO20. Наблюдались термическая активация и гашение фототока, сверхлинейность люкс-амперных характеристик, индуцированная примесная фотопроводимость, оптическое гашение собственной фотопроводимости. Результаты обсуждаются в рамках двухцентровой модели рекомбинации. Определены некоторые параметры r-центров медленной рекомбинации и t-уровней прилипания, а также энергия оптической активации ряда локальных уровней запрещенной зоны.
  1. Grousson R., Henry M., Mallik S. J. Appl. Phys. 56, \it 1, 224 (1984)
  2. Брыксин В.В., Коровин Л.И., Кузьмин Ю.И. ФТТ 28, \it 9, 2728 (1986)
  3. Астратов В.Н., Ильинский А.В., Кисилев В.А. ФТТ 28, \it 11, 3438 (1986)
  4. Брыксин В.В., Коровин Л.И., Кузьмин Ю.И. ФТТ 29, \it 5, 1323 (1987)
  5. Ильинский А.В., Куценко А.Б., Мельников М.Б. ФТТ 30, \it 6, 1780 (1988)
  6. Астратов В.Н., Ильинский А.В., Фурман А.С. ФТТ 31, \it 8, 212 (1989)
  7. Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фотоиндуцированные процессы в силленитах Новосибирск (1990). 160 с
  8. Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 22, \it 8, 2454 (1980)
  9. Авраменко В.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 26, \it 2, 485 (1984)
  10. Atterd A.E. J. Appl. Phys. 69, 1, 44 (1991)
  11. Stohkendl F.P., Hellwarth R.W. J. Appl. Phys. 62, \it 6, 2450 (1987)
  12. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. J. Appl. Phys. 44, \it 6, 2652 (1973)
  13. Захаров И.С., Петухов П.А., Скориков В.М., Кистенева М.Г. Изв. вузов. Физика, \it 6, 85 (1985)
  14. Захаров И.С. ФТТ 27, 4, 1062 (1985)
  15. Камшилин А.А., Петров М.П. ФТТ 23, 10, 3110 (1981)
  16. Волосов А.Я., Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 23, \it 7, 2187 (1981)
  17. Карповч И.А., Колосов Е.Е., Леонов Е.И., Орлов В.М., Шилова М.В. Неорган. материалы 21, \it 6, 965 (1985)
  18. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев (1981). 264 с
  19. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках М. (1963). 404 с
  20. Реза А.А., Сенулене Д.В., Беляев В.А., Леонов Е.И. Письма в ЖТФ 5, \it 8, 465 (1979)
  21. Douglas G.G., Zitter R.N. J. Appl. Phys. 39, \it 4, 2133 (1968)
  22. Ермаков М.Г., Хомич А.В., Перов П.И., Горн И.А., Куча В.В. Микроэлектроника 11, \it 5, 424 (1982)
  23. Быковский Ю.А., Зуев В.В., Кирюхин А.Д., Скориков В.М., Чмырев В.И. ФТП 12, \it 10, 2004 (1978)
  24. Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б., Куча В.В. Микроэлектроника 11, \it 5, 477 (1982)
  25. Prakash S.G., Mamedov A.M., Lebedeva N.N., Marduxaev A.R. Indian J. Pure Appl. Phys. 20, 306 (1982)
  26. Toyoda T., Maruyama S., Hakanishi H., Endo S., Irie T. J. Phys. D: Appl. Phys. 19, 909 (1986)
  27. Гудаев О.А., Седельников А.П. ФТТ 29, 3, 946 (1987)
  28. Любченко А.В., Шейкман М.К. УФЖ 18, 1, 133 (1973)
  29. Grabmaier B.C., Obershmid R. Phys. Stat. Sol. (a) 96, 199 (1986)
  30. Takamori T., Just D. J. Appl. Phys. 67, \it 2, 848 (1990)
  31. Lauer R.B. J. Appl. Phys. 45, 4, 1794 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.