Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выталкивание носителей заряда из антиферромагнитной структуры в квазидвумерных системах типа ВТСП

Нагаев Э.Л.¹

¹Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 16 июня 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Существует критическое значение обмена между носителями заряда и локализованными моментами в квазидвумерных антиферромагнитных полупроводниках типа ВТСП, при котором при малых концентрациях носителей коллинеарное упорядочение теряет устойчивость. Критерий неустойчивости антиферромагнитного упорядочения близок к критерию устойчивости автолокализованного ферронного состояния носителя заряда, что свидетельствует о выталкивании носителей заряда из антиферромагнитной структуры с образованием областей иной фазы. При более высоких концентрациях носителей может стать устойчивой неколлинеарная антиферромагнитная структура.

Nagaev E.L. From magnetic Semiconductors to High-T_c superconductors. Cambridge University Press (1996); УФН 165, 529 (1995)
Aharony A., Birgeneau R., Coniglio A., Kastner M., Stanley H. Phys. Rev. Lett. 60, 1330 (1988)
Нагаев Э.Л. Письма в ЖЭТФ 6, 484 (1967); ЖЭТФ 54, 228 (1968)
Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М. (1979); Nagaev E.L. Physics of Magnetic Semiconductors. M. (1983)
Lee T. Shiping Feng. Phys. Rev. B38, 11809 (1988)
Auerbach A., Larson B. Phys. Rev. B43, 7800 (1991)
Дзялошинский И.Е. ЖЭТФ 32, 1547 (1957); 33, 1454 (1957)
Нагаев Э.Л. Магнетики со сложными обменными взаимодействиями. М. (1989)
Manousakis E. Rev. Mod. Phys. 63, 1 (1991)
Нагаев Э.Л. Письма в ЖЭТФ 16, 558 (1972); Кашин В.А., Нагаев Э.Л. ЖЭТФ 66, 2105 (1974)
Нагаев Э.Л. Подельщиков А.И. ФТТ 23, 859 (1981)
Нагаев Э.Л. ЖЭТФ 103, 252 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель