Вышедшие номера
Электролюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии при комнатной температуре
Бреслер М.С.1, Гусев О.Б.1, Захарченя Б.П.1, Кудоярова В.Х.1, Кузнецов А.Н.1, Теруков Е.И.1, Фус В.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

В полупроводниковой структуре, состоящей из слоя аморфного кремния, легированного эрбием и нанесенного на подложку из кристаллического кремния n-типа, наблюдалась электролюминесценция при комнатной температуре. При смещении гетероперехода аморфный кремний-кристаллический кремний в обратном направлении (знак ''минус'' на подложке) наблюдается линия излучения ионов эрбия, соответствующая переходам в f-оболочке; при смещении в прямом направлении - линия излучения свободного экситона в кристаллическом кремнии. Показано, что механизм возбуждения электролюминесценции обусловлен электронами аморфной матрицы при захвате их на D0-центры с передачей энергии в f-оболочку ионов эрбия за счет кулоновского взаимодействия.
  1. Zheng B., Michel J., Ren F.Y.G., Kimerling L.C., Jacobson D.C., Poate J.M. Appl. Phys. Lett. 64, \it 21, 2842 (1994)
  2. Bresler M.S., Gusev O.B., Kudoyarova V.Kh., Kuznetsov A.H., Pak P.I., Terukov E.I., Yassievich I.N., Zakharchenya B.P., Fuhs W., Sturm A. Appl. Phys. Lett. 67, \it 24, 3599 (1995)
  3. Marakhonov V., Rogachev N., Ishkalov J., Marakhonov J., Terukov E., Chelnokov V.J. Non-Cryst. Sol. 137\&138, \it 1, 817 (1991)
  4. Street R.A., Biegelsen D.K., Weisfield R.L. Phys. Rev. B30, \it 10, 5861 (1984)
  5. Abakumov V.N., Perel V.I., Yassievich I.N. Nonradiative Recombination in Semiconductors. North Holland. Amsterdam (1991). P. 172

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.