Методами ДМЭ, ЭОС, СХПЭЭ и КРП исследованы структура и электронные свойства тонких (порядка монослойных) пленок BaO на W(100). В области субмонослойных покрытий при температурах 300-500 K в пленке реализуются согласованные с подложкой структуры с концентрациями 3.3· 10¹⁴ и 5.0· 10¹⁴ cm^-2. Плотноупакованный монослой с согласованной, близкой к гексагональной решеткой имеет n=6· 10¹⁴ cm^-2. В спектре ХПЭЭ при монослойном покрытии наряду с линиями, характерными для BaO, наблюдается линия с Delta E~ 3 eV, идентифицируемая с потерей энергии на возбуждение поверхностного плазмона в слое атомов Ba. Предполагается, что появление минимума и максимума на кривой изменения работы выхода varphi=f(n) связано с металлическими свойствами поверхностного слоя Ba в монослое BaO.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.