Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si(001)

Балашев В.В.^1,2, Коробцов В.В.^1,2, Писаренко Т.А.^1,2, Чусовитин Е.А.¹, Галкин К.Н.¹

¹Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch, Russian Academy of Sciences, Vladivostok, Russia

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch, Russian Academy of Sciences, Vladivostok, Russia

²Институт физики и информационных технологий Дальневосточного государственного университета, Владивосток, Россия

Email: balashev@mail.dvo.ru

Поступила в редакцию: 25 мая 2009 г.

Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

PDF версия

Сверхтонкие пленки силицида железа были выращены путем высокотемпературного отжига пленок Fe толщиной от 0.14 до 0.5 nm, осажденных на поверхность кремния с ориентацией (001) при комнатной температуре. Обнаружено, что отжиг приводит к образованию на поверхности нанометровых островков силицида железа, тип которого зависит от толщины пленки Fe. С использованием методов дифракции быстрых электронов и атомно-силовой микроскопии показано, что для пленок Fe толщиной менее 0.32 nm на поверхности Si(001) происходит эпитаксиальный рост как трехмерных островков gamma-FeSi₂, так и двумерных beta-FeSi₂. Обнаружено, что при покрытиях Fe толщиной более 0.32 nm наблюдается полный переход к твердофазной эпитаксии только двумерных островков beta-FeSi₂. Исследовано влияние длительного отжига при 850^oC на морфологию поверхности пленки силицида железа. Работа была выполнена при поддержке гранта Дальневосточного отделения Российской академии наук (N 09-III-A-02-023).

K.M. Geib, J.E. Mahan, R.G. Long, M. Nathan, G. Bai. J. Appl. Phys. 70, 3, 1730 (1991)
J. Alvarez, J.J. Hinarejos, E.G. Michel, G.R. Castro, R. Miranda. Phys. Rev. B 45, 24, 14 042 (1992)
K. Konuma, J. Vrijmoeth, P.M. Zagwijn, J.W.M. Frenken, E. Vlieg, J.F. Van der Veen. J. Appl. Phys. 73, 3, 1104 (1993)
T. Suemasu, T. Fujii, R. Takakura, F. Hasegawa. Thin Solid Films 381, 209 (2001)
T. Suemasu, M. Takauji, Ch. Li, Y. Ozawa, M. Ichida, F. Hasegawa. Jpn. J. Appl. Phys. 43, 7A, L930 (2004)
S. Hajjar, G. Garreau, S. Pelletier, P. Bertoncini, P. Wetzel, G. Gewinner, M. Imholf, C. Pirri. Surf. Sci. 532--535, 940 (2003)
M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, I.I. Pronin, A.S. Voronchikhin, D.V. Vyalikh, S.L. Molodtsov. Surf. Sci. 601, 5069 (2007)
J. Chrost, J.J. Hinarejos, P. Segova, E.G. Michel, R. Miranda. Surf. Sci. 371, 297 (1997)
H. Nakano, K. Maetano, K. Hattori, H. Daimon. Surf. Sci. 601, 5088 (2007)
W. Raunau, H. Niehus, G. Comsa. Surf. Sci. Lett. 284, L375 (1993)
J. Wu, S. Shimizu. J. Appl. Phys. 80, 1, 559 (1996)
A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 133, 4, 666 (1986)
N. Minami, D. Makino, T. Matsumura, C. Egawa, T. Sato, K. Ota, S. Ino. Surf. Sci. 514, 211 (2002)
Р. Хейденрайх. Основы просвечивающей электронной микроскопии. Мир, М. (1966). 471 с
Y. Homma, Y. Kobayashi, T. Ogino, D. Takagi, R. Ito, Y.J. Jung, P.M. Ajayan. J. Phys. Chem. B 107, 12 161 (2003)
J.H. Won, K. Sato, M. Ishimaru, Y. Hirotsu. J. Appl. Phys. 100, 014 307 (2006)
M. Behar, H. Bernas, J. Desimoni, X.W. Lin, R.L. Maltez. J. Appl. Phys. 79, 2, 752 (1996)
Y. Gao, S.P. Wong, W.Y. Cheung, G. Shao, K.P. Homewood. Appl. Phys. Lett. 83, 4, 638 (2003)
T. Shirasawa, K. Sekiguchi, Y. Iwasawa, W. Voegeli, T. Takahashi, K. Hattori, A.N. Hattori, H. Daimon, Y. Wakabayashi. e.-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7, 513 (2009)
J.E. Mahan, V. Le Thanh, J. Chevrier, I. Berbezier, J. Derrien, R.G. Long. J. Appl. Phys. 74, 1747 (1993)
Kang-Ho Park, Jeong Sook Ha, Wan Soo Yun. Surf. Sci. 492, 34 (2001)
G. Molnar, L. Dozsa, G. Peto, Z. Vertesy, A.A. Koos, Z.E. Horvarth, E. Zsoldos. Thin Solid Films 459, 48 (2004)
Y. Maeda, H. Udono, Y. Terai. Thin Solid Films 461, 165 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель