Вышедшие номера
Эмиссия электронов из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития
Сидоркин А.С.1, Логинов П.В.1, Саввинов А.М.1, Кудзин А.Ю.1, Короткова Н.Ю.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Экспериментально обнаружена эмиссия электронов в слабом сегнетоэлектрике - гептагерманате лития, - стимулированная изменением температуры образца и переключением приложенного электрического поля. Эмиссия, стимулированная полем, существует в определенном температурном интервале и для полей выше порогового. Предполагается, что она возникает при превышении приложенным полем коэрцитивного поля материала.
  1. Кортов В.С., Минц Р.И. ФТТ 9, 6, 1828
  2. Косцов А.М., Сидоркин А.С., Зальцберг В.С., Грибков С.П. ФТТ 24, \it11, 3436 (1982)
  3. Biedrzycki K., Le Bihan R. Ferroelectrics 126, 253 (1992)
  4. Rosenman G. Abstracts 11th Int. Symp. E.E.E. and Applications. Poland (1994) P. 14
  5. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.А., Шур В.Я. Письма в ЖЭТФ. 39, \it 9, 397 (1984)
  6. Gundel H., Riege H., Wilson E.J.N., Handerek J., Zioutas K. Ferroelectrics, 100, 1 (1989)
  7. Таганцев А.К. Письма в ЖЭТФ. 45, 7, 352 (1987)
  8. Кортов В.С., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки. Киев (1986). 176 с
  9. Карпус В., Перель В.И. Письма в ЖЭТФ. 42, \it 10, 403 (1985)
  10. Король Э.Н. ФТТ 19, 8, 1266 (1977)
  11. Sidorkin A.S., Darinskii B.M., Lazarev A.P., Kostsov A.M. Ferroelectrics 143, 209 (1993)
  12. Волнянский М.Д., Кудзин А.Ю., Швец Т.В. ФТТ 32, \it 10, 3134 (1990)
  13. Сидоркин А.С., Косцов А.М., Зальцберг В.С., Грибков С.П. ФТТ 27, \it 7, 2200 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.