Барический гистерезис электропроводимости и термоэдс фаз высокого давления теллурида германия
Игнатенко О.А.1, Бабушкин А.Н.1, Горланова Ю.В.1
1Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатиринбург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
С использованием камеры высокого давления из искусственных алмазов в интервале температур 77-400 K и давлений 15-50 GPa проведены исследования электропроводиности и термоэдс GeTe. Полученные результаты подтвердили имеющиеся рентгеноструктурные данные о фазовых превращениях в GeTe, позволили определить характер проводимости фаз высокого давления со структурами типа NaCl, GeS и CsCl, а также термобарические границы устойчивости этих фаз.
- Littlewood P.B. J. Phys. C: Solid State Phys. 13, \it 26, 4855 (1980)
- Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С. Ретгеноструктурные исследования при высоком давлении. М. (1979). 174 с
- Serebryanaya N.R., Blank V.D., Ivdenko V.A. Phys. Lett. A197, 63 (1995)
- Верещагин Л.Ф., Яковлев Е.Н., Степанов Г.Н. Письма в ЖЭТФ 18, \it 4, 240 (1972)
- Babushkin A.N. High Press. Res. 6, 349 (1992)
- Игнатченко О.А., Бабушкин А.Н., Мельникова Н.В. ФТТ 35, \it 7, 1983 (1993)
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М. (1977). 672 с
- Бабушкин А.Н., Кобелев Л.Я., Бабушкина Г.В., Яковлев Е.Н. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 27, \it 2, 384 (1991)
- Li X., Jeanloz R. Phys. Rev. B36, 1, 474 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук