Вышедшие номера
Водородная пассивация дислокаций в гетероструктурах ZnCdSe/GaAs
Козловский В.И.1, Крыса А.Б.1, Кузнецов П.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Исследована низкотемпературная (40 K) катодолюминесценция эпитаксиальных пленок Zn1-xCdxSe, выращенных методом MOCVD на подложках GaAs(100) и подвергнутых отжигам в водородной плазме. Обнаружено существенное (примерно в 2 раза) сужение ширины линии коротковолнового излучения и увеличение ее интенсивности, а также уменьшение интенсивности длинноволнового излучения по сравнению с исходными образцами. Полученные данные объясняются частичной водородной пассивацией структурных дефектов в эпитаксиальной пленке.
  1. Chatterjee B., Bingel S.A., Sieg R. et al. Appl. Phys. Lett. \bf 65, \it 1, 58 (1994)
  2. Matragrano M.J., Wetson G.P., Ast D.G. et al. Appl. Phys. Lett. \bf 62, \it 12, 1417 (1993)
  3. Botha J.R., Leitcn A.W.R. Appl. Phys. Lett. \bf 63, \it 18, 2534 (1993)
  4. Владыко М.Н., Козловский В.И., Крыса А.Б., Попов Ю.М. Краткие сообщения по физике ФИАН, \it 1--2, 20 (1994)
  5. Кузнецов П.И., Журавлев Л.А., Шемет В.В. и др. ДАН СССР. \bf 274, \it 5, 1100 (1984)
  6. Pelekanos N.T., Ding J., Hagerott M. et al. Phys. Rev. \bf B45, \it 11, 6037 (1992)
  7. Newbury P.R., Shahzad K., Petruzzello J., Cammack D.A. J. Appl. Phys. \bf 66, \it 10, 4950 (1989)
  8. Осипьян Ю.А., Петренко В.Ф. В кн.: Физика соединений A^2B^6 / Под ред. А.Н.Георгобиани, М.К.Шейнкмана. М. (1986). С. 35--76
  9. Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Appl. Phys. \bf A43, 153 (1987)
  10. Козловский В.И., Насибов А.С., Резников П.В. Квантовая электрон. \bf 8, \it 4, 745 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.