Теоретически установлено, что в квантовых ямах, проволоках и точках на основе полупроводников с высокой степенью ионности учет поляронных эффектов приводит к дополнительной локализации носителей и возникновению статических смещений положений равновесия окружающих атомов. Метод адиабатических потенциалов использован для вычисления статических смещений, которые оказываются различными для разных электронных состояний. Смещения положений равновесия колеблющихся атомов приводят к появлению фононных повторений линии оптического электронного перехода между уровнями размерного квантования уже в первом порядке теории возмущений по константе электрон-фононного взаимодействия. Показано, что максимальные многофононные эффекты проявляются в квантовых точках с размерами 1-50 nm, где эффект локализации электрона точкой усиливается поляронным эффектом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.