Вышедшие номера
Оптически детектируемое антипересечение уровней локализованных экситонов в полупроводниках
Ивченко Е.Л.1, Каминский А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

Теоретически исследовано влияние антипересечения экситонных уровней на интенсивность и поляризацию излучения квартетных экситонов, образованных электронами со спином ±1/2 и дырками со спином ±3/2. Выведена система уравнений для стационарной заселенности уровней квартета, в которой учтено излучательное и безызлучательное времена жизни экситонов, селективная оптическая генерация экситонных подуровней и температурно-зависимая спиновая релаксация. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными по антипересечению уровней в сверхрешетках GaAs/AlAs типа I и типа II, а также в объемных твердых растворах CdSxSe1-x.