Вышедшие номера
Особенности кристаллизации поликристаллических тонких пленок PZT, сформированных на подложке Si/SiO2/Pt
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Сенкевич С.В.1, Климов В.А.1, Зайцева Н.В.1, Шаплыгина Т.А.1, Пронин В.П.2, Кукушкин С.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Petrovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Изучены особенности кристаллизации тонких пленок цирконата-титаната свинца, осажденных на подложку Si/SiO2/Pt методом ВЧ-магнетронного распыления при низкой температуре и отожженных при температуре 540-580oC. В этом интервале температур последовательно наблюдаются два фазовых перехода первого рода: низкотемпературная фаза пирохлора-фаза перовскита I и фаза перовскита I-фаза перовскита II, сопровождающихся усадкой (уменьшением объема пленки). Фазовые превращения были исследованы при помощи атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии, рентгенодифракционного анализа и метода визуального (оптического) наблюдения роста островков новой фазы. Обнаружено, что диэлектрические параметры при переходе от фазы I к фазе II претерпевают существенные изменения. Обсуждаются причины наблюдаемых эффектов. Работа выполнена при поддержке РФФИ N 08-02-01352a, 07-08-00542-a, НШ-2628.2008.2, МНТЦ N 3743 и программы РАН "Фундаментальные проблемы механики взаимодействия в технических и природных системах, материалах и средах".
  1. D.L. Polla. Microelectron. Eng. 29, 51 (1995)
  2. S. Trolier-McKinstry, P. Muralt. J. Electroceram. 12, 1--2, 7 (2004)
  3. N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N.Y. Park, G.B. Stephensen, I. Stolitchnov, A.K. Tagantsev, D.V. Taylor, T. Yamada, S. Streifer. J. Appl. Phys. 100, 051 606 (2006)
  4. M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. 26, 550 (1987)
  5. M. Klee, A.De. Veirman, D.J. Taylor, P.K. Larsen. Integrated Ferroelectrics 4, 197 (1994)
  6. K. Yamakawa, O. Arisumi, K. Okuwada, K. Tsutsumi, T. Katata. Proc. of Eleventh IEEE Int. Symp. on applications of ferroelectrics. Montreux, Switzerland (1998). P. 159
  7. Z.-J. Wang, R. Maeda, K. Kikuchi. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5342 (1999)
  8. В.П. Афанасьев, Г.Н. Мосина, А.А. Петров, И.П. Пронин, Л.М. Сорокин, Е.А. Тараканов. Письма в ЖТФ 27, 11, 56 (2001)
  9. K.F. Etzold, R.A. Roy, K.L. Saenger, J.J. Cuomo. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 200, 297 (1990)
  10. K. Iijima, I. Ueda, K. Kugimiya. Jpn. J. Appl. Phys. 30 (Pt I), 9B, 2149 (1991)
  11. T. Ogawa, A. Senda, T. Kasanami. Jpn. J. Appl. Phys. 30 (Pt I), 9B, 2145 (1991)
  12. S.B. Krupanidhi. Integrated Ferroelectrics 1, 160 (1992)
  13. В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 160 (1996)
  14. Z.-T. Song, W. Ren, L.-Y. Zhang, X. Yao, Ch. Lin. Thin Solid Films 353, 25 (1999)
  15. K.K. Uprety, L.E. Ocola, O.J. Auciello. J. Appl. Phys. 102, 084 107 (2007)
  16. И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, В.П. Афанасьев, Г.П. Крамар. Материалы Междунар. науч. конф. "Пленки-2005". МИРЭА, М. (2005). Ч. 1. С. 29
  17. Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. Пьезоэлектрическая керамика. Мир, М. (1974). 288 с
  18. И.П. Пронин, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, В.П. Афанасьев. Изв. РАН. Сер. физ. 61, 379 (1997)
  19. В.Н. Децик, Е.Ю. Каптелов, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, И.П. Пронин. ФТТ 39, 122 (1997)
  20. C.K. Kwok, S.B. Desu. J. Mater. Res. 9, 7, 1728 (1994)
  21. K.D. Preston, G.H. Haertling. Integrated Ferroelectrics 1, 89 (1992)
  22. M. Klee, R. Eusemann, R. Waser, W. Brand, H. van Hal. J. Appl. Phys. 72, 1566 (1992)
  23. K.A. Vorotilov, M.I. Yanovskaya, O.A. Dorokhova. Integrated Ferroelectrics 3, 33 (1993)
  24. О.Е. Квятковский. Частное сообщение

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.