Вышедшие номера
Вклад фононов в ширину линии поверхностных состояний на Pd(111)
Скляднева И.Ю.1,2,3, Циркин С.С.4, Еремеев С.В.2,4, Heid R.3, Bohnen K.-P.3, Чулков Е.В.1,5
1Donostia International Physics Center, San Sebastian, Spain
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3Karlsruher Institut fur Technologie, Institut fur Festkorperphysik, Karlsruhe, Germany
4Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5Departamento de Fi sica de Materiales and Centro Mixto CSIC--UPV/EHU, Facultad de Ciencias Qui micas, UPV/EHU, San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain
Email: swxskski@sc.ehu.es
Поступила в редакцию: 16 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Приведены результаты расчетов вклада электрон-фононного взаимодействия в ширину линии поверхностных электронных состояний на Pd(111). Вычисления проведены как ab initio методом, основанным на теории функционала электронной плотности и методе линейного отклика в псевдопотенциальном представлении со смешанным базисом, так и с помощью модели, которая включает описание электронной структуры поверхности одномерным модельным потенциалом. Фононный вклад в ширину линий проанализирован для всех поверхностных состояний. Показано, что обусловленная электрон-фононным взаимодействием ширина линии имеет слабую анизотропию, а характер ее изменений с энергией и волновым вектором электрона зависит в первую очередь от конкретной поверхностной зоны.