Вышедшие номера
Оптические исследования локализованных магнитных поляронов в спиновых стеклах CdMnTe
Кусраев Ю.Г.1, Кудинов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Исследовалась поляризованная фотолюминесценция полупроводниковых спиновых стекол Cd1-xMnxTe (x=0.3/0.4) в зависимости от температуры и магнитного поля. Применялось селективное возбуждение в хвост локализованных состояний. Анализируется влияние энергии квантов возбуждающего света, температуры и магнитного поля на стоксов сдвиг линии фотолюминесценции, обусловленный формированием экситонного магнитного полярона. Для качественного объяснения постоянства энергии полярона при изменении частоты возбуждающего света предложена модель хвоста плотности состояний в области порога подвижности экситонов. В рамках этой модели, предполагающей фиксированную глубину ''оптимальных'' флуктуационных ям, проведен вариационный расчет, результаты которого согласуются с экспериментом. Обсуждается вопрос о влиянии фазового перехода парамагнетик-спиновое стекло на люминесцентные свойства CdMnTe; сделан вывод о наличии в спин-стекольной фазе локальных обменных полей, фиксирующих спин носителей, что обеспечивает возможность индуцировать циркулярно-поляризованную люминесценцию оптически.
  1. Diluted magnetic semiconductors / Ed. J. Furdina and J.Kossut. Semiconductors and Semimetals / Ed. R.K.Willardson and A.C.Beer. N.Y.: Academic Press, 1988. V. 25. 470 p
  2. Кривоглаз М.А. УФН. 1973. Т. 111. N 4. С. 617--654
  3. Рябченко С.М., Семенов Ю.Г. ФТТ. 1989. Т. 26. N 11. С. 3347--3354
  4. Kavokin A.V., Kavokin K.V. Semicond. Science Technol. 1993. N 8. P. 191--196
  5. Берковская Ю.Ф., Гельмонт Б.Л., Цидильковский Э.И. ФТП. 1988. Т. 22. N 5. С. 855--862
  6. C.Benoita la Guillaume Phys. Stat. Sol. (b). 1993. V. 175. P. 369
  7. Bugajski M., Becla P., Wolff P.A., Heiman D., Ram-Mohan L.R. Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 15. P. 10512--10516
  8. Janiszewski P. Proc. 20th Int. Conf. Phys. Semicond. Thessaloniki. 1990. V. 1. P. 771--774
  9. Golnik A., Ginter J., Gaj J.A. J. Phys. C. 1983. V. 16. P. 6073--6084
  10. Ram-Mohan L.R., Wolff P.A. Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 2. P. 1330--1339
  11. Heiman D., Isaaks E.D., Becla P., Foner S. Phys. Rev. B. 1987. V. 35. N 7. P. 3307--3310
  12. Kusrayev Yu.G., Zakharchenya B.P. Proc. 20th Int. Conf. Phys. Semicond. Thessaloniki. 1990. V. 1. P. 738--741
  13. Warnock J., Kershaw R.N., Ridgely D., Dwight K., Wold A., Galazka R.R. J. Lumin. 1985. V. 34. P. 25--35
  14. Захарченя Б.П., Кусраев Ю.Г. Письма в ЖЭТФ. 1989. Т. 50. N 4. С. 199--201
  15. Агекян В.Ф., Серов А.Ю. ФТТ. Т. 32. N 11. С. 3373--3378
  16. Mackh G., Ossaw W., Yakovlev D.R., Waag A., Landwehr G. Proc. 21th Int. Conf. Phys. Semicond. Beijing, China, 1992
  17. Клочихин А.А., Оглоблин С.Г. ЖЭТФ. 1991. Т. 100. N 6(12). С. 2026--2038
  18. Yakovlev D.R., Ossaw W., Landwehr G., Bicknell-Tassius R.N., Waag A., Schmeusser S., Uraltsev I.N. Solid State Commun. 1992. V. 82. P. 29--32

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.