Вышедшие номера
Электрические свойства AgSnSbSe3 при различных внешних воздействиях
Мельникова Н.В.1, Алибеков А.Г.2, Сайпулаева Л.А.2, Хейфец О.Л.1, Бабушкин А.Н.1, Моллаев А.Ю.2, Каллаев С.Н.2, Ферзалиев Р.М.2
1Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия
2Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Email: a.abdulabek@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Исследованы электрические свойства халькогенида AgSnSbSe3 в широкой области изменения внешних параметров: температуры, давления, частоты электрического поля. На зависимостях диэлектрической проницаемости от температуры и электросопротивления от гидростатического давления обнаружены аномалии, характерные для структурных фазовых переходов. Проанализировано влияние частоты на диэлектрические свойства.
  1. О.Л. Хейфец, Л.Я. Кобелев, Н.В. Мельникова, Л.Л. Нугаева. ЖТФ 77, 90 (2007)
  2. Ю.Ф. Горин, А.Н. Бабушкин, Л.Я. Кобелев, А.С. Савелькаев. Письма в ЖЭТФ 41, 424 (1985)
  3. Н.А. Боровой, Ю.П. Гололобов, И.Н. Саливонов. ФНТ 25, 731 (1999)
  4. Ю.П. Гололобов. ФТТ 41, 702 (1999)
  5. A. Gagor, A. Paw owski, A. Pietraszko. J. Solid State Chem. 182, 451 (2009)
  6. В.И. Валюкенас, А.С. Орлюкас, А.П. Сакаяас, В.А. Миколайтис. ФТТ 21, 2449 (1979)
  7. J. Gutwirth, T. Wagner, P. Nv emec, S.O. Kasap, J. Frumer. J. Non-Crystalline Solids 354, 497 (2008)
  8. L.G. Khvostantsev, L.P. Vereshchagin, A.P. Novikov. High Temp-High Tressure 9, 673 (1997)
  9. А.Ю. Моллаев, Л.А. Сайпулаева, Р.К. Арсланов, С.Ф. Маренкин. НМ 37, 405 (2001)
  10. Л.Ф. Верещагин, Е.Н. Яковлев, Г.Н. Степанов. Письма в ЖЭТФ 16, 240 (1972)
  11. O. Kheifets, N. Melnikova, L. Saipulaeva, A. Alibekov, A. Mollaev, A. Babushkin, G. Tikhomirova. HPR 29, 261 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.