Вышедшие номера
Изменение характера локальной неустойчивости дефектов в тонких пленках и вблизи поверхности кристалла
Вихнин В.С.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Теоретически рассмотрены эффект нецентральности примесных ионов вблизи поверхности кристалла или в тонкой пленке и эффект Яна-Теллера в этой ситуации. Показано, что вследствие сил изображения эти эффекты качественно отличаются от своих объемных аналогов. В частности, обнаружено подавление эффекта нецентральности у поверхности. Наряду с изменением многоямного потенциала распределение локальных центров у поверхности приводит к флуктуации частот квазилокальных мод этих центров. В результате возникает новый механизм неоднородного уширения резонансных линий ИК-поглощения и рамановского рассеяния света на частотах квазилокальных колебаний центров у поверхности. Рассчитана форма линии, которая характеризуется необычно медленным законом затухания ее Фурье-образа и существенной асимметрией.