Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1994, выпуск 5 » Статья стр. 1366
<<<>>>
Новый высокотемпературный сверхпроводник Bi 4Sr4CaCu 3O 14+x, кристаллическая структура и дефектность катионной подрешетки
Левин А.А.1, Смолин Ю.И.1, Шепелев Ю.Ф.1, Буш А.А.1, Романов Б.Н.1
1Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
PDF версия
Определена кристаллическая структура нового высокотемпературного сверхпроводника Bi4Sr4CaCu3O14+x (AgKalpha, a=5.411(2), b=5.417(3), c=27.75(1) Angstrem, пространственная группа Pbmm, R=8.80%, Rw=11.92%, 248F(nkl) ). В структуре имеются два типа медь-кислородных слоев с разной координацией атомов Cu по кислороду. Одиночные слои BiO сдвоенного слоя (BiO)2 отличаются по своему строению. С использованием перколяционных представлений проведено сопоставление сверхпроводящих свойств и дефектности катионной подрешетки нового сверхпроводника.
  1. by 0pt plus 0.3dd minus 0.1dd
  2. Michel C., Hervieu M., Borel M.M., Grandin A., Deslandes F., Provost J., Raveau B. Z.Phys. B: Condens. Matter. 1987. V. 68. P. 421--423
  3. Maeda H., Tanaka Y., Fukutomi M., Asano T. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 27. N 2. P. 209--212
  4. Torardi C.C.,Subramanian M.A., Calabrese J.C., Gopalakrishnan J., McCarron E.M., Morrisey K.J., Askew T.R., Flippen R.B., Chowdry U., Sleight A.W. Phys.. Rev. B. 1988. V. 38. N 1. P. 225--231
  5. Gao Y., Lee P., Ye J., Bush P., Petricek V., Coppens P. Physica C. 1989. V. 160.N 5--6. P. 431--438
  6. Gao Y., Lee P.,Graafsma H., Yeh J., Bush P., Petricek V., Coppens P. Chemistry Mater. 1990. V. 2. N 3. P. 323--328
  7. Leligny H., Durv cok S., Labbe P., Ledesert M., Raveau B. Acta Cryst. B. 1992. V. 68. N 4. P. 407--418
  8. Onoda M., Sato M. Solid State Commun. 1988. V. 67. N 8. P. 799--804
  9. Imai K., Nakai I., Kawashima T., Sueno S., Ono A. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 27. N 9. P. 1661--1664
  10. Bordet P.,Capponi J.J., Chaillout C., Chenavas J., Hewat A.W., Hewat E.A., Hodeau J.L., Marezio M., Tholence J.L., Tranqui D. Physica C. 1988. V. 156. N 1. P. 189--192
  11. Torardi C.C., Parise J.B., Subramanian M.A., Sleight A.W. Physica C. 1989. V. 157. N 1. P. 115--123
  12. Левин А.А., Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф., Сапожникова Л.М., Головенчиц Е.И., Санина В.А. ФТТ. 1993. Т. 35. N 8. С. 2170--2178
  13. Petricek V., Gao Y., Lee P., Coppens P. Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 1. P. 387--392
  14. Yamamoto A., Onoda M., Takayama-Muromachi E., Izumi F. Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 7. P. 4228--4239
  15. Calestani G., Rizzoli C., Francesconi M.G., Andreetti G.D. Physica C. 1990. V. 161. N 5--6. P. 598--606
  16. Sequeira A., Yakhmi J.V., Iyer R.M., Rajagopal H., Sastry P.V. P.S.S. Physica C. 1990. V. 167. N 3--4. P. 291--296
  17. Miehe G., Vogt T., Fuess H., Wilhelm M. Physica C. 1990. V. 171. N 3--4. P. 339--343
  18. Mo Y.D., Cheng T.Z., Fan H.F., Li J.Q., Sha B.D., Zheng C.D., Li F.H., Zhao Z.X. Supercond. Sci. Technol. 1992. V. 5. N 1. P. 69--72
  19. Goodman P., Bulcock S., Miller P., Przelozny Z. Physica C. 1992. V. 190. N 1--2. P. 277--284
  20. Matsui Y. J. Electron. Microsc. 1990. V. 39. N 6. P. 223--230
  21. Adachi H., Kohiki S., Setsune K., Mitsuyu T., Wasa K. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 27. N 10. P. 1883--1886
  22. Rao C.N.R., Vijayaraghavan R., Ganapathi L., Bhat S.V. J. Solid State Chem. 1989. V. 79. N 1. P. 177--188
  23. Wang H., Wang X., Shang S., Wang Z., Lu Z. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N 7. P. 710--711
  24. Fung K.K, Yang C.Y., Yan Y.F. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 3. P. 280--283
  25. Wen J.G., Yang C.Y., Yan Y.F., Fung K.K. Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 7. P. 4117--4121
  26. Nakayama Y., Tsukada I., Uchinokura K. J. Appl.Phys. 1991. V. 70. N 8. P. 4371--4377
  27. Kanai M., Kawai T., Kawai S. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 31. N 3B. P. 331--333
  28. Алексеевский Н.Е., Митин А.В., Кузьмичева Г.М., Тарасова Т.Н., Хлыбов Е.П., Евдокимова В.В. Сверхпроводимость. 1989. Т. 2. N 5. С. 81--90
  29. Кузьмичева Г.М., Тарасова Т.Н., Толстова В.А., Алексеевский Н.Е., Ким С.Ф., Митин А.В., Хлыбов Е.П., Барабаненков Ю.А., Аксельруд Л.Г. Сверхпроводимость. 1990. Т. 3. N 10. С. 152--168
  30. Буш А.А. Сверхпроводимость. 1990. Т. 3. N 9. С. 2026--2030
  31. Буш А.А., Гордеев С.Н., Дубенко И.С., Романов Б.Н., Титов Ю.В. Сверхпроводимость. 1991. Т. 4. N 4. С. 788--792
  32. Буш А.А., Романов Б.Н., Исаков И.В., Сарин В.А., Иванов С.А., Журов В.В. Сверхпроводимость. 1992. Т. 5. N 2. С. 364--371
  33. Oatley S., French S. Acta Cryst. A. 1982. V. 38. N 4. P. 537--549
  34. Андрианов В.И. Кристаллография. 1987. Т. 32. N 1. С. 228--231
  35. Busing W.R., Martin K.O., Levy H.A. Oak Ridge Nat. Lab. Rept. ORNL-TM-305, Tennessee, 1962
  36. International Tables for X-ray Crystallography. V. 4. Birmingham: Kynoch Press, 1974
  37. Cruickshank L.W.J. Computing methods in crystallography / Ed. J.S.Rollet. L.: Pergamon Press, 1965. P. 112--116
  38. Nagano H., Liang R., Matsunaga Y., Sugiyama M., Itoh M., Nakamura T. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 28. N 3. P. 364--367
  39. Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф., Левин А.А. Высокотемпературная сверхпроводимость (актуальные проблемы). В. 2 / Под ред. А.А. Киселева. Л., ЛГУ, 1989. С. 74--103
  40. Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф., Левин А.А. Журн. неорган. химии.1989. Т. 34. N 10. С. 2451--2468
  41. Левин А.А., Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф., Сапожникова Л.М., Сырников П.П., Головенчиц Е.И., Санина В.А. ФТТ. 1991. Т. 33. N 5. С. 1434--1442
  42. Левин А.А., Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф. Тез. докл. VI совещ. по кристаллохимии неорганических и координационных соединений. Львов, 1992. С. 145
  43. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
  44. Klee M., de Vries J.W.C., Brand W. Physica C. 1988. V. 156. N 4. P. 641--648
  45. Shi F., Rong T.S., Zhou S.Z., Wu X.F., Du J., Shi Z.H., Cui C.G., Jin R.Y., Zhang J.L., Ran Q.Z., Shi N.C. Phys. Rev. B. 1990. V. 41. N 10. P.6541--6546
  46. Kovatcheva D., Hewat A.W., Rangavittal N., Manivannan V., Row Guru T.N., Rao C.N.R. Physica C. 1991. V. 173. N 5--6. P. 444--452
  47. Parise J.B., Torardi C.C., Subramanian M.A., Gopalakrishnan J., Sleight A.W. Physica C. 1989. V. 159. N 3. P. 239--244
  48. Beyers R.B., Parkin S.S.P., Lee V.Y., Nazzal A.I., Savoy R.J., Gorman G.L., Huang T.G., La Placa S.J. IBM J. Develop. 1989. V. 33. N 3. P. 228--237

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme