Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Генерация и движение дислокаций при механических повреждениях поверхности карбида кремния

Трегубова А.С.¹, Мохов Е.Н.¹, Шульпина И.Л.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 июля 1993 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

PDF версия

Исследовано распределение дислокаций в SiC, генерируемых царапинами, наносимыми алмазным резцом, при температуре отжига T_a = 800/ 2000^o C. Выявлена высокая подвижность дислокаций при относительно низкой T_a= 1200/ 1300^o C, сохраняющаяся, однако, в течение короткого промежутка времени (tau < 1 мин). Обнаружено, что скорость разбега дислокаций выше в эпитаксиальных слоях SiC, выращенных вакуумной сублимацией. Более подвижными являются дислокации, распространяющиеся от царапин на грани (0001) Si, чем на грани (000=1) C. Результаты объясняются с учетом влияния на перемещение дислокаций собственных точечных дефектов.

Трегубова А.С., Мохов Е.Н., Роенков А.Д. и др. Тез. докл. III Всес. конф. по широкозонным полупроводникам. Махачкала, 1986. С. 85--86
Maeda K., Suzuki K., Fujita S., Ichihara M., Hyodo S. Phil.Mag. 1988. V. 57A. N 4. P. 573--592
Пилянкевич А.Н., Бритун В.Ф., Котко В.А. УФЖ. 1988. Т. 33. N 7. C. 1085--1088
Долотов Н.И., Левчук Б.И., Макаров В.В. и др. Физика и химия обработки материалов. 1986. N 4. C. 69--71
Францевич И.Н., Кравец В.А., Назаренко Н.В. Порошковая металлургия. 1975. Т. 8. N 152. С. 89--93
Трегубова А.С., Мохов Е.Н., Шульпина И.Л. ФТТ. 1990. Т. 32.N 8. C. 2311--2315
Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Krist. und Techn. 1979. V. 14. N 6. P. 729--741
Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М., 1984. 256 с
Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Silicon Carbide-1973. South Carolina Univ. Press, 1974. P. 508--514
Вавилов В.С., Водаков Ю.А., Иванов А.И., Мохов В.Н. и др. ФТП. 1991. Т. 25. N 4. C. 762--766
Гейци И.И., Нестеров А.А., Смирнов Л.М. ФТП. 1971. Т. 5. N 3. C. 502--505
Гирка А.И., Мокрушин А.Д., Мохов Е.Н. и др. ЖЭТФ. 1990. Т. 97. N 2. C. 578--590
Гаршин А.П., Лавренова Е.Л., Водаков Ю.А., Мохов Е.Н. ФТТ. 1992. Т. 34. N 9. C. 2748--2752
Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н. Широкозонные полупроводники. Махачкала, 1988. С. 23--33
Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Roenkov A.D., Saidbekov D.T. Phys. St. Sol. 1976. V. 35a. N 1. P. 37--42

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель