Вышедшие номера
Упругие поля и физические свойства поверхностных квантовых точек
Берт Н.А.1, Колесникова А.Л.2, Королев И.К.2, Романов А.Е.1,3, Фрейдин А.Б.2, Чалдышев В.В.1, Aifantis E.C.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece
Email: aer@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Представлены упругие поля в системе, состоящей из поверхностной осесимметричной когерентной квантовой точки-островка (КТ), и массивной подложки. Упругие поля получены методом конечных элементов. Проанализировано влияние формы и относительных размеров delta КТ на сопутствующие ей поля. Выявлены два критических относительных размера deltac1 и deltac2. Найдено, что поля не зависят от формы и относительных размеров КТ при delta>deltac1 и верхушка КТ остается практически неискаженной при delta>=deltac2. Показано, что компонента напряжений sigmazz, где z --- ось симметрии КТ, демонстрирует область растяжения, локализованную под КТ в подложке на некотором расстоянии от интерфейса. На основании приближенной аналитической формулы для радиальной компоненты смещений рассчитаны электронно-микроскопические изображения системы InSb/InAs для островков с delta>deltac1. Рассмотрена возможность релаксации напряжений в системе, заключающаяся в образовании дислокационной призматической петли внедрения вблизи КТ. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 10-02-91057-NCNI_a) и Европейского сообщества (Мари Кюри проект).
  1. M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B 52, 11 969 (1995)
  2. H. Jiang, J. Singh. Physica E (Amsterdam) 2, 614 (1998)
  3. J.N. Davies. J. Appl. Phys. 84, 1358 (1998)
  4. J.H. Groenen, C. Priester, R. Carles. Phys. Rev. B 60, 16 013 (1999)
  5. J.N. Davies. Appl. Phys. Lett. 75, 4142 (1999)
  6. J.A. Barker, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B 61, 13 840 (2000)
  7. T. Benabbas, P. Fran cois, Y. Androussi, A. Lefebvre. J. Appl. Phys. 80, 2763 (1996)
  8. P.D. Miller, C.-P. Liu, W.L. Henstrom, J.M. Gibson, Y. Huang, P. Zhang, T.I. Kamis, D.P. Basile, R.S. Williams. Appl. Phys. Lett. 75, 46 (1999)
  9. X.Z. Liao, J. Zou, D.J.H. Cockayne, R. Leon, C. Lobo. Phys. Rev. Lett. 82, 5148 (1999)
  10. C.-P. Liu, J.M. Gibson, D.G. Cahill, T.I. Kamins, D.P. Basile, R.S. Williams. Phys. Rev. Lett. 84, 1958 (2000)
  11. J.P. McCaffrey, V.D. Robertson, S. Fafard, Z.R. Wasilewski, E.M. Griswold, L.D. Madsen. J. Appl. Phys. 88, 2272 (2000)
  12. J.P. McCaffrey, V.D. Robertson, P.J. Poole, B.J. Riel, S. Fafard. J. Appl. Phys. 90, 1784 (2001)
  13. Y. Androussi, T. Benabbas, A. Lefebvre. Ultramicroscopy 93, 161 (2002)
  14. Y. Androussi, T. Benabbas, S. Kret, V. Ferreiro, A. Lefebvre. Phil. Mag. 87, 1531 (2007)
  15. N.A. Bert, A.B. Freidin, A.L. Kolesnikova, I.K. Korolev, A.E. Romanov. Phys. Status Solidi A 207, 10, 2323 (2010)
  16. F. Jonsdottir, D. Halldorsson, G.E. Beltz, A.E. Romanov. Mod. Simul. Mater. Sci. Eng. 14, 1167 (2006)
  17. Р.В. Гольдштейн, В.А. Городцев, П.С. Шушпанников. Изв. РАН. Механика твердого тела 45, 3, 7 (2010)
  18. A.E. Romanov, T. Wagner. Scripta Mater. 45, 325 (2001)
  19. Electronic archive. New semiconductor materials. Characteristics and properties. Ioffe Physico-Technical Institute; http://www.ioffe.ru/SVA/NSM
  20. П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М. Мир, (1968). 574 c
  21. A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. J. Appl. Mechan. 71, 3, 409 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.