Издателям
Вышедшие номера
Упругие поля и физические свойства поверхностных квантовых точек
Берт Н.А.1, Колесникова А.Л.2, Королев И.К.2, Романов А.Е.1,3, Фрейдин А.Б.2, Чалдышев В.В.1, Aifantis E.C.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece
Email: aer@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Представлены упругие поля в системе, состоящей из поверхностной осесимметричной когерентной квантовой точки-островка (КТ), и массивной подложки. Упругие поля получены методом конечных элементов. Проанализировано влияние формы и относительных размеров delta КТ на сопутствующие ей поля. Выявлены два критических относительных размера deltac1 и deltac2. Найдено, что поля не зависят от формы и относительных размеров КТ при delta>deltac1 и верхушка КТ остается практически неискаженной при delta>=deltac2. Показано, что компонента напряжений sigmazz, где z --- ось симметрии КТ, демонстрирует область растяжения, локализованную под КТ в подложке на некотором расстоянии от интерфейса. На основании приближенной аналитической формулы для радиальной компоненты смещений рассчитаны электронно-микроскопические изображения системы InSb/InAs для островков с delta>deltac1. Рассмотрена возможность релаксации напряжений в системе, заключающаяся в образовании дислокационной призматической петли внедрения вблизи КТ. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 10-02-91057-NCNI\_a) и Европейского сообщества (Мари Кюри проект).
  • M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B 52, 11 969 (1995)
  • H. Jiang, J. Singh. Physica E (Amsterdam) 2, 614 (1998)
  • J.N. Davies. J. Appl. Phys. 84, 1358 (1998)
  • J.H. Groenen, C. Priester, R. Carles. Phys. Rev. B 60, 16 013 (1999)
  • J.N. Davies. Appl. Phys. Lett. 75, 4142 (1999)
  • J.A. Barker, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B 61, 13 840 (2000)
  • T. Benabbas, P. Fran cois, Y. Androussi, A. Lefebvre. J. Appl. Phys. 80, 2763 (1996)
  • P.D. Miller, C.-P. Liu, W.L. Henstrom, J.M. Gibson, Y. Huang, P. Zhang, T.I. Kamis, D.P. Basile, R.S. Williams. Appl. Phys. Lett. 75, 46 (1999)
  • X.Z. Liao, J. Zou, D.J.H. Cockayne, R. Leon, C. Lobo. Phys. Rev. Lett. 82, 5148 (1999)
  • C.-P. Liu, J.M. Gibson, D.G. Cahill, T.I. Kamins, D.P. Basile, R.S. Williams. Phys. Rev. Lett. 84, 1958 (2000)
  • J.P. McCaffrey, V.D. Robertson, S. Fafard, Z.R. Wasilewski, E.M. Griswold, L.D. Madsen. J. Appl. Phys. 88, 2272 (2000)
  • J.P. McCaffrey, V.D. Robertson, P.J. Poole, B.J. Riel, S. Fafard. J. Appl. Phys. 90, 1784 (2001)
  • Y. Androussi, T. Benabbas, A. Lefebvre. Ultramicroscopy 93, 161 (2002)
  • Y. Androussi, T. Benabbas, S. Kret, V. Ferreiro, A. Lefebvre. Phil. Mag. 87, 1531 (2007)
  • N.A. Bert, A.B. Freidin, A.L. Kolesnikova, I.K. Korolev, A.E. Romanov. Phys. Status Solidi A 207, 10, 2323 (2010)
  • F. Jonsdottir, D. Halldorsson, G.E. Beltz, A.E. Romanov. Mod. Simul. Mater. Sci. Eng. 14, 1167 (2006)
  • Р.В. Гольдштейн, В.А. Городцев, П.С. Шушпанников. Изв. РАН. Механика твердого тела 45, 3, 7 (2010)
  • A.E. Romanov, T. Wagner. Scripta Mater. 45, 325 (2001)
  • Electronic archive. New semiconductor materials. Characteristics and properties. Ioffe Physico-Technical Institute; http://www.ioffe.ru/SVA/NSM
  • П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М. Мир, (1968). 574 c
  • A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. J. Appl. Mechan. 71, 3, 409 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.