Вышедшие номера
Электронная структура аморфных пленок Si-C-N
Зацепин Д.А.1,2, Курмаев Э.З.1, Moewes A.3, Чолах С.О.2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Department of Physics and Engineering Physics, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan, Canada
Email: nexcom@list.ru
Поступила в редакцию: 1 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Представлены результаты исследования аморфных пленок a-SiCxNy различного состава методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Измерены и проанализированы эмиссионные Si L2,3, C Kalpha и N Kalpha спектры, которые соответственно отображают парциональные плотности состояний Si 3s3d, C 2p и N 2p. Установлено, что химическая связь Si-N весьма схожа по типу с химической связью Si-C и полностью замещает связи Si-C в тонких пленках a-SiCxNy при увеличении концентрации кислорода. Подобный эффект связывается с локальной агломерацией и последующей кластеризацией атомов углерода в SiN-обогащенных областях внутреннего объема пленки. Обнаружена высокая способность пленок a-SiCxNy к окислению на воздухе, что подтверждается удовлетворительной аппроксимацией рентгеновских Si L2,3 эмиссионных спектров a-SiCN с помощью суперпозиции спектров gamma-Si3N4 и Si2N2O. При этом относительные весовые коэффициенты спектров gamma-Si3N4, использованные для аппроксимации спектров тонких пленок a-SiCxNy, оказываются пропорциональными значениями модуля Юнга для различного состава (различных x и y). Работа поддержана РФФИ (гранты N 11-02-00939, 09-02-00493 и 09-02-00493).
  1. R. Riedel, H.-J. Kleebe, H. Schonfelder, F. Aidinger. Nature 374, 526 (1995)
  2. H.M. Tsai, J.C. Jan, J.W. Chiou, W.F. Pong, M.-H. Tsai, Y.K. Chang, Y.Y. Chen, Y.W. Yang, L.J. Lai, J.J. Wu, C.T. Wu, K.H. Chen, L.C. Chen. Appl. Phys. Lett. 79, 2393 (2001)
  3. Y.K. Chang, H.H. Hsieh, W.F. Pong, M.-H. Tsai, T.E. Dann, F.Z. Chien, P.K. Tseng, L.C. Chen, S.L. Wei, K.H. Chen, J.-J. Wu, Y.F. Chen. J. Appl. Phys. 86, 5609 (1999)
  4. A. Bendeddouche, R. Berjoan, E. Beche, T. Merle-Mejean, S. Schamm, V. Seriin, G. Taillades, A. Pradel, R. Hillel. J. Appl. Phys. 81, 6147 (1997)
  5. G. Lehmann, P. Hess, J.-J. Wu, C.T. Wu, T.S. Wong, K.H. Chen, L.C. Chen, H.-Y. Lee, M. Amkreutz, Th. Fraunheim. Phys. Rev. B 64, 165 305 (2001)
  6. A. Cheorghiu, C. Senemaud, H. Roulet, G. Dufour, T. Moreno, S. Bodeur, C. Reunaud, M. Cauchetier, M. Luce. J. Appl. Phys. 71, 4118 (1992)
  7. F. Tenegal, A.M. Flank, N. Herlin. Phys. Rev. B 54, 12 029 (1996)
  8. L.C. Chen, C.Y. Yang, D.M. Bhusari, K.H. Chen, M.C. Lin, J.C. Lin, T.J. Chuang. Diamond Relat. Mater. 5, 514 (1996)
  9. G. Wiech, A. Simunek. Phys. Rev. B 49, 5398 (1994)
  10. G. Wiech, H.-O. Feldhutter, A. Simunek. Phys. Rev. B 47, 6981 (1993)
  11. C. McGuinness, D. Fu, J.E. Downes, K.E. Smith, G. Hughes, R. Roche. J. Appl. Phys. 94, 3919 (2003)
  12. Y.K. Chang, H.H. Hsieh, W.F. Pong, M.-H. Tsai, K.H. Lee, T.E. Dann, F.Z. Chien, P.K. Tseng, K.L. Tsang, W.K. Su. Phys. Rev. B 58, 9018 (1998)
  13. J. Luning, S. Eisebitt, J-E. Rubensson, C. Ellmers, W Eberhardt. Phys. Rev. B 59, 10573 (1999)
  14. C.W. Chena, C.C. Huanga, Y.Y. Lina, L.C. Chen, K.H. Chen. Diamond Relat. Mater. 14, 1126 (2005)
  15. A.-S. Loir, D. Pech, P. Steyer, Y. Gachon, C. Heau, J.C. Sanchez-Lopez. Plasma Process. Polymers 4, 173 (2007)
  16. P. Kroll. J. Eur. Ceram. Soc. 25, 163 (2005)
  17. Y.-N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B 51, 17 379 (1995)
  18. S.-D. Mo, L. Ouang, W.Y. Ching, I. Tanaka, Y. Koyama, R. Riedel. Phys. Rev. Lett. 83, 5046 (1999)
  19. Y. Muramatsu, Y. Tani, Y. Aoi, T. Kaneyoshi, M. Moyoyama, J.J. Delaunay, T. Hayashi, M.M. Grush, T.A. Callcott, D.L. Ederer, C. Heske. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5143 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.