Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Краевые дислокации несоответствия в гетероструктурах Ge_xSi_1-x/Si(001) (x~ 1): роль промежуточного буферного слоя Ge_ySi_1-y (y<x) в их образовании

Болховитянов Ю.Б.¹, Гутаковский А.К.¹, Дерябин А.С.¹, Соколов Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: bolkhov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 29 сентября 2010 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучена дисклокационная структура пленок Ge_xSi_1-x (x~0.4-0.8) на подложках Si(001), отклоненных на 6^o к ближайшей плоскости (111). Использование отклоненных от точной ориентации (001) подложек Si для эпитаксии пленок GeSi позволило установить основной (для структур данного состава) механизм образования краевых дислокаций несоответствия (ДН), наиболее эффективно снимающих напряжения, обусловленные несоответствием параметров решетки пленки и подложки. Несмотря на определение краевых дислокаций как "сидячих", их формирование происходит по механизму скольжения, предложенному ранее Kvam с соавторами. Проведена сравнительная оценка скоростей распространения первичной и наведенной 60^o ДН, а также результирующей 90^o ДН. Показано, что условием наиболее эффективного образования краевых ДН по механизму наведенного зарождения является наличие в напряженной пленке 60^o ДН сразу же после достижения ею критической толщины. Предварительно выращенный буферный слой GeSi, находящийся на начальной стадии пластической релаксации, может явиться источником таких дислокаций.

D.C. Houghton, D.D. Perovic, J.-M. Baribeau, G.G. Weatherty. J. Appl. Phys. 67, 1850 (1990)
K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. J. Appl. Phys. 66, 2993 (1989)
E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 92, 131 901 (2008)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 310, 3422 (2008)
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 50, 1783 (2008)
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 52, 32 (2010)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 91, 4710 (2002)
Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, Л.В. Соколов. ФТП 41, 1251 (2007)
R. Hull, J.C. Bean, D.J. Werder, R.E. Leibenguth. Phys. Rev. B 40, 1681 (1989)
B.W. Dodson, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett. 31, 1325 (1987)
L.B. Freund, R. Hull. J. Appl. Phys. 71, 2054 (1992)
R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998)
A. Fisher. Appl. Phys. Lett. 64, 1218 (1994)
J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations. 2nd ed Wiley. N.Y. (1982). P. 231
L.B. Freund. MRS Bull. 17, 52 (1992)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
S.V. Kamat, J.P. Hirth. J. Appl. Phys. 67, 6844 (1990)
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. ФТП 42, 3 (2008)
J. Cai, P.M. Mooney, S.H. Christiansen, H. Chen, O. Chu, J.A. Ott. J. Appl. Phys. 95, 5347 (2004)
M. Bauer, K. Lyutovich, M. Oehme, E. Kasper, H.-J. Herzong, F. Ernst. Thin Solid Films 369, 152 (2000)
J. Nakatsuru, H. Date, S. Mashiro, M. Ikemoto. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 891, EE07-24.1 (2006)
T.H. Loh, H.S. Nguyen, C.H. Tung, A.D. Trigg, G.Q. Lo, N. Balasubramanian, D.L. Kwong, S. Tripathy. Appl. Phys. Lett. 90, 092 108 (2007)
Z. Zhou, C. Li, H. Lai, S. Chen, J. Yu. J. Cryst. Growth 310, 2508 (2008)
M. Myronov, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth 301-- 302, 315 (2007)
W. Hu, B. Cheng, C. Xue, H. Xue, S. Su, A. Bai, L. Luo, Y. Yu, Q. Wang. Appl. Phys. Lett. 95, 092 102 (2009)
Cheng Buwen, Xue Chunlai, Luo Liping, Han Genquan, Zeng Yugang, Xue Haiyun, Wang Qiming. J. Mater. Sci. Eng. (in Chinese), 27, 118, (2009)
T.H. Yang, G.L. Luo, E.Y. Chang, Y.C. Hsieh, C.Y. Chang. J. Vac. Sci. Technol. B 22, L17 (2004)
S. Dey, S. Joshi, D. Garcia-Gutierrez, M. Chaumont, A. Campion, M. Jose-Yacaman, S.K. Banerjee. J. Electron. Mater. 35, 1607 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель