Издателям
Вышедшие номера
Сверхпроводимость и распределение компонентов в тонких слоях PbzS1-zTe, легированных индием
Бакулин Е.А., Данилов В.А., Парфеньев Р.В., Светлов Н.В., Шамшур Д.В., Шахов М.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Методом Оже-спектроскопии изучено распределение компонентов по глубине пленок, полученных на слюде термическим распылением шихты бинарного соединения и твердого раствора, легированных индием: Sn1-xInxTe и (PbzSn1-z)1-xInxTe. Обнаружено обогащение In и Te приповерхностного слоя пленки при одновременном уменьшении Sn (и Рb). Сверхпроводящие параметры пленок оказались близки к оптимальным для объемных образцов из-за переменного по глубине пленки соотношения между концентрациями In, Рb и Te, определяющими СП свойства материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.