Издателям
Вышедшие номера
Роль дополнительного экстремума в возникновении сверхпроводимости в полупроводниках AIVBVI с резонансными примесными состояниями
Березин А.В., Немов С.А., Парфеньев Р.В., Шамшур Д.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Проанализированы экспериментальные данные по сверхпроводящим свойствам полупроводников AIVBVI с примесями индия и таллия. Выявлена важная роль дополнительного экстремума валентной зоны полупроводниковых соединений на основе SnTe<In> и РbТе<T1> в возникновении сверхпроводимости с относительно высокой для полупроводников критической температурой Tc~1 K. Показано, что для существования сверхпроводимости с Tc<= 0.4 K в полупроводниках AIVBVI наряду с частичным заполнением электронами резонансных состояний необходимо выполнение дополнительного условия --- полоса примесных резонансных состояний, пиннингующая уровень Ферми, должна перекрываться по энергии с зонными состояниями дополнительного экстремума с большой плотностью состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.