Вышедшие номера
Гетерофазный механизм возникновения низкотемпературного пика вещественной части проводимости ВТСП материалов
Корженевский А.Л., Лужков А.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

На основании предположения о гетерофазной структуре образца вблизи точки сверхпроводящего перехода предложен простой механизм появления пика вещественной части проводимости, основанный на идеях теории протекания.