"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2017
- 1 2 3 4 5 6 7
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства пластически деформированного кремния при взаимодействии с примесью железа

Феклисова О.В.¹, Якимов Е.Б.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия

Email: yakimov@iptm.ru

Поступила в редакцию: 3 сентября 2010 г.

Выставление онлайн: 21 мая 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами растровой электронной микроскопии и нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано изменение рекомбинационных свойств пластически деформированного кремния в результате взаимодействия с примесью железа, введенной посредством диффузии при 1000^oC. Обнаружено увеличение рекомбинационной активности дислокаций и плоскостей скольжения за дислокациями вследствие ускоренного образования на этих дефектах преципитатов железа. Из измерений наведенного электронным пучком тока проведены оценки концентрации и рассчитаны размеры образующихся преципитатов, которые достигали нескольких сотен нанометров. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 10-02-00300-а).

K. Graff. Metal impurities in silicon-device fabrication. Springer, Berlin (1995). 216 p

A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber. Appl. Phys. A 69, 13 (1999)

B.L. Sopori. Mater. Sci. Forum 258--263, 527 (1997)

J. Bailey, E.R. Weber. Phys. Status Solidi A 137, 515 (1993)

H. Feichtinger, A. Gschwandtner, J. Waltl. Phys. Status Solidi A 53, K71 (1979)

В.Б. Воронков, А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Б.М. Урунбаев, Т.А. Усманов. ФТП 14, 2050 (1980)

H. Lemke. Phys. Status Solidi A 64, 215 (1981)

K. Wunstel, P. Wagner. Appl. Phys. A 27, 207 (1982)

S.D. Brotherton, P. Bradley, A. Gill. J. Appl. Phys. 57, 1941 (1985)

O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, N. Yarykin, B. Pichand. J. Phys.: Cond. Matter 16, S201 (2004)

M. Acciarri, S. Binetti, O.V. Feklisova, E.A. Steinman, E.B. Yakimov. Solid State Phenom. 95--96, 453 (2004)

O.V. Feklisova, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi C 4, 8, 3105 (2007)

C. Donolato. Semicond. Sci. Technol. 7, 37 (1992)

E.R. Weber. Appl. Phys. A 30, 1 (1983)

I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi A 60, 341 (1980)

K. Schmalz, F.G. Kirscht, S. Niese, H. Richter. M. Kittler, W. Seifert, I. Babanskaya, H. Klose, K. Tittelbach-Helmrich, J. Schoneich. Phys. Status Solidi A 100, 69 (1987)

M. Hourai, K. Murakami, T. Shigematsu, N. Fujino, T. Shiraiwa. Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2413 (1989)

O.V. Feklisova, B. Pichaud, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi A 202, 5, 896 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель